轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain,LDD)结构,是MOSFET为了减弱漏区电场、以改进热电子退化效应所采取的一种结构(见图示)。即是在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏区,让该低掺杂的漏区也承受部分电压,这种结构可防止热电子退化效应。实际上,现在这种结构已经成为了大规模集成电路中MOSFET的基本结构。
LED
LightEmittingDiode,即发光二极管,是一种半导体固体发光器件,它是利用固体半导体芯片作为发光材料,当两端加上正向电压,半导体中的载流子发生复合引起光子发射而产生光。LED可以直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)