1、随机存储器
对于任意一个地址,以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器(写入速度和读出速度可以不同)。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式,即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式(如8k×8位)。
特点:这种存储器的特点是单元器件数量少,集成度高,应用最为广泛(见金属-氧化物-半导体动态随机存储器)。
2、只读存储器
用来存储长期固定的数据或信息,如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定,当器件接通时为“1”,断开时为“0”,反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中,光刻时便转移到硅芯片上。
特点:其优点是适合于大量生产。但是,整机在调试阶段,往往需要修改只读存储器的内容,比较费时、费事,很不灵活(见半导体只读存储器)。
3、串行存储器
它的单元排列成一维结构,犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长,因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列,数据按每列顺序读取,如移位寄存器和电荷耦合存储器等。
特点:砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒,预计在超高速领域将有所发展。
扩展资料:
半导体存储器优点
1、存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上,输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化。
2、数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度。
3、利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。
参考资料来源:百度百科-半导体集成存储器
存取周期是指存储器进行连续读写 *** 作所允许的最短时间间隔。
存储器进行一次“读”或“写” *** 作所需的时间称为存储器的访问时间(或读写时间),而连续启动两次独立的“读”或“写” *** 作(如连续的两次“读” *** 作)所需的最短时间,称为存取周期(或存储周期)。
为存储器的性能指标之一,直接影响电子计算机的技术性能。存储周期愈短,运算速度愈快,但对存储元件及工艺的要求也愈高。
例如磁芯存储器的存取周期为零点几到几个微秒。半导体存储器的存取周期通常在几十到几百毫微秒之间。那么半导体存储器的性能一般比磁芯存储器的性能要好。
存储器的两个基本 *** 作:
存储器的两个基本 *** 作为“读出”与“写入”,是指将存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔,称为“取数时间TA”。两次独立的存取 *** 作之间所需最短时间称为“存储周期TMC”。半导体存储器的存取周期一般为6ns~10ns。
其中存储单元(memory location)简称“单元”。为存储器中存储一机器字或一字节的空间位置。一个存储器划分为若干存储单元,并按一定顺序编号,称为“地址”。如一存储单元存放一有独立意义的代码。即存放作为一个整体来处理或运算的一组数字,则称为“字”。字的长度,即字所包含的位数,称为“字长”。
如以字节来划分存储单元,则一机器字常须存放在几个存储单元中。存储单元中的内容一经写入,虽经反复使用,仍保持不变。如须写入新内容,则原内容被“冲掉”,而变成新写入的内容。
存储器(storage)又称“记忆装置”。能按一定地址随机存取计算程序、原始数据、中间和最后结果的装置。存储器须保存大量表示数据或程序的二进制代码,故“按地址”存取的组织方式,将其分成众多单元(称“存储单元”),并按一定顺序编号(称“地址”),以便按地址根据指令的要求存取。常以存储容量和存取周期作为衡量性能的主要指标。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)