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能够观察和研究金属及其合金的内部结构和晶体缺陷,成像及电子衍射的研究,把形貌信息与结构信息联系起来;能够进行动态观察,研究在温度改变的情况下相变的形核长大过程,以及位错等晶体缺陷在应力下的运动与交互作用。复型技术和薄膜样品的形貌观察。 纳米材料分析 现在纳米材料(陶瓷、金属及有机物)、纳米粉体、介孑L材料、纳米涂层、碳纳米管、薄膜 材料、半导体芯片线宽测量等领域已得到了广泛应用。即使一般材料研究,要得到更多显微结构信息的高分辨率照片,也需要场发射TEM。 晶体缺陷分析 A1:O,/SiC陶瓷中纳米SiC对基体A1,O,的强化作用体现在:(1)固定晶界(A,B),控制晶体异常增大,并使晶界中液相强度增加;(2)钉扎位错强化基体(c,D),复合陶瓷内裂纹传播的透射电子显微像和高分辨透射电子显微像,裂纹沿箭头所示的晶界和界面行进。从图4—31b可以看到在沿箭头行进的裂纹的前端的Si,N。晶粒内有晶格变形,这些形变导致能量损失,使复合陶瓷增韧。大景深图像是扫描电镜观察的特色,例如:生物学,植物学,地质学,冶金学等等。观察可以是一个样品的表面,也可以是一个切开的面,或是一个断面。冶金学家已兴奋地直接看到原始的或磨损的表面。可以很方便地研究氧化物表面,晶体的生长或腐蚀的缺陷。它一方面可更直接地检查纸,纺织品,自然的或制备过的木头的细微结构,生物学家可用它研究小的易碎样品的结构。例如:花粉颗粒,硅藻和昆虫。另一方面,它可以拍出与样品表面相应的立体感强的照片。 在扫描电镜应用中,很多集中在半导体器件和集成电路方面,它可以很详细地检查器件工作时局部表面电压变化的实际情况,这是因为这种变化会带来象的反差的变化。焊接开裂和腐蚀表面的细节或相互关系可以很容易地观察到。利用束感生电流,可以观测半导体P—N结内部缺陷。 电子束与样品作用区内,还发射与样品物质其他性质有关信号。例如:与样品化学成分分布相关的,背散射电子,特征X射线,俄歇电子,阴极荧光,样品吸收电流等;与样品晶体结构相关的,背散射电子衍射现象的探测;与半导体材料电学性能相关的,二次电子信号、电子束感生电流信号;在观察薄样品时产生的透射电子信号等。目前分别有商品化的探测器和装置可安装在扫描电镜样品分析室,用于探测和定性定量分析样品物质的相关信息。 扫描电镜对于固体材料的研究应用非常广泛,没有任何一种仪器能够和其相提并论。对于固体材料的全面特征的描述,扫描电镜是至关重要的。 具体功能用途归纳如下: 1、扫描电镜追求固体物质高分辨的形貌,形态图像(二次电子探测器SEI)-形貌分析(表面几何形态,形状,尺寸) 2、显示化学成分的空间变化,基于化学成分的相鉴定---化学成分像分布,微区化学成分分析. 1)用x射线能谱仪或波谱(EDSorWDS)采集特征x射线信号,生成与样品形貌相对应的,元素面分布图或者进行定点化学成分定性定量分析,相鉴定。 2)利用背散射电子BSE基于平均原子序数(一般和相对密度相关)反差,生成化学成分相的分布图像; 3)利用阴极荧光,基于某些痕量元素(如过渡金属元素,稀土元素等)受电子束激发的光强反差,生成的痕量元素分布图像。 4)利用样品电流,基于平均原子序数反差,生成的化学成分相的分布图像,该图像与背散射电子图像亮暗相反。
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