光源pi特性曲线实验原理

光源pi特性曲线实验原理,第1张

实验原理: 半导体激光器的模式分为空间模和纵模(轴模)。空间模描述围绕输出光束轴线某处的光强分布,或者是空间几何位置上的光强(或光功率)的分布,也称远场分布纵模则表示一种频谱,它反映所发射的光束其功率在不同频率(或波长)分量上的分布。二者都可能是单模或者出现多个模式(多模)。边发射半导体激光器具有非圆对称的波导结构,而且在垂直于异质结平面方向(称横向)和平行于结平面方向(称侧向)有不同的波导结构和光场限制情况。横向上都是异质结构成的折射率波导,而在侧向目前多是折射率波导,但也可采取增益波导,因此半导体激光器的空间模式又有横模与侧模之分。

大部分半导体激光器的PI曲线的斜率应该来说都是比较直的,也有一部分到最大值附近效率下降了,斜线变平。有一些半导体激光器是光纤输出的,电流加大后光斑模式变化了,导致耦合效率下降,也会造成PI曲线末端斜率变小了。如果能稳定输出,功率足够的话问题都不是太大了

半导体激光器是温敏器件,对温度变化相当敏感。温度的变化会致使其输出光性能发生变化,甚至影响使用寿命。温度升高,阀值增大,输出光功率减小。驱动电流越大,温度变化引起光功率的变化越大。温度变化会使半导体激光器的P-I曲线呈非线性畸变。


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