半导体光刻工艺之去胶

经过刻蚀或者离子注入之后，已经不再需要光刻胶作为保护层，因此可以将光刻胶从硅片的表面除去，这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中，去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶，在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶，主要是使光刻胶溶于有机溶剂中，从而达到去胶的目的。有机溶剂去胶中使用的溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂。无机熔液去胶的原理是利用光刻胶本身也是有机物的特点（主要由碳和氢等元素构成的化合物），通过使用一些无机溶剂（如硫酸和双氧水等），将光刻胶中的碳元素氧化称为二氧化碳，这样就可以把光刻胶 从硅片的表面除去。不过，由于无机熔液会腐蚀AL，因此去除AL上的光刻胶必须使用有机溶剂。 干法去胶则是利用等离子体将光刻胶去除。以使用氧等离子为例，硅片上的光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应，生成的气态的CO，CO2和H2O可以由真空系统抽走，相对于湿法去胶，干法去胶的效果更好，但是由于干法去胶存在反应残留物的玷污问题，因此干法去胶与湿法去胶经常搭配使用。

lithography是一种平板印刷技术，在平面光波回路的制作中一直发挥着重要的作用。具体过程如下：

首先在二氧化硅为主要成分的芯层材料上面，淀积一层光刻胶；

使用掩模版对光刻胶曝光固化，并在光刻胶层上形成固化的与掩模板完全对应的几何图形；

对光刻胶上图形显影，与掩模对应的光刻胶图形可以使芯层材料抵抗刻蚀过程；

使用等离子交互技术，将二氧化硅刻蚀成与光刻胶图形对应的芯层形状；

光刻胶层剥离；

最后在已经形成的芯层图形上面淀积上包层。

使用lithography方法几乎可以在芯层材料上形成各种几何图形，图形的精细度取决于曝光系统的光源波长，现有UV、DUV、e-beam、x-ray、nano-imprint几种曝光方式。

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