• PDB文件是如何存储蛋白质3D结构的?

    PDB文件是如何存储蛋白质3D结构的?A.通过存储GIF动画B.通过存储氨基酸序列C.通过存储全息影像D.通过存储蛋白质中每个原子的3D坐标正确答案:通过存储蛋白质中每个原子的3D坐标1、PyMol盐析法:盐析法的根据是蛋白质在稀

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    2023-5-18
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  • 半导体光刻工艺之去胶

    经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使

    2023-4-26
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  • 半导体功率器件有机去胶对表面的影响

    减少对器件的损伤。半导体功率器件有机去胶可以有效的去除半导体芯片在加工过程中在芯片表面残留的有机污染物,这种污染物会严重影响器件在键合封装中的良率,可以大大减少等离子体对器件的损伤。电力电子器件(PowerElectronicDevice)

    2023-4-26
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  • 半导体光刻工艺之去胶

    经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使

    2023-4-25
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  • semig4级别

    电子级硫酸按照超净高纯试剂SEMI国际标准等级划分,可分为G1、G2、G3、G4、G5五个类别,其中,G1属于低档产品,G2属于中低档产品,G3属于中高档产品,G4和G5属于高档产品,G2、G3、G4、G5四个等级分别对应国内产品纯度等级U

    2023-4-25
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  • 半导体光刻工艺之去胶

    经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使

    2023-4-25
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  • 半导体光刻工艺之去胶

    经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使

    2023-4-25
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  • 半导体光刻工艺之去胶

    经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使

    2023-4-25
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  • 半导体EKC溶液化学名称

    ekc是光阻液化学品。光阻液主要由树脂(resin),感光剂(sensitizer),溶剂(solvent)三种成分混合而成。光阻液种类: 光阻液分为正光阻及负光阻两种。1. 正光阻: 光阻本身难溶于显影液,曝光后解离成小分子,

    2023-4-25
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  • 半导体光刻工艺之去胶

    经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使

    2023-4-25
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  • 半导体光刻工艺之去胶

    经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使

    2023-4-25
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  • 半导体光刻工艺之去胶

    经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使

    2023-4-25
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  • 半导体封装中如何去掉残胶?

    封装的主要生产过程包括:晶圆切割,将晶圆上每一晶粒加以切割分离。粘晶,(Die-Attach)将切割完成的晶粒放置在导线架上。焊线,(Wire Bond)将晶粒信号接点用金属线连接至导线架上。封胶,将晶粒与外界隔绝。检切成型,将封胶后多余

    2023-4-25
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  • 半导体光刻工艺之去胶

    经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使

  • 半导体工艺 的最小线宽是指金属连线的还是栅的宽度?

    从器件来讲,主要是指栅极长度(一般,栅极长度小于栅极宽度)。从加工精度来讲,主要是指套刻精度(最小间距);最小线宽是引线孔尺寸。因为并无统一的看法,仅供参考。刻蚀技术可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching

    2023-4-25
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  • 半导体光刻工艺之去胶

    经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使

    2023-4-25
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  • 半导体光刻工艺之去胶

    经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使

    2023-4-25
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  • 半导体光刻工艺之去胶

    经过刻蚀或者离子注入之后,已经不再需要光刻胶作为保护层,因此可以将光刻胶从硅片的表面除去,这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中,去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶,在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶,主要是使

    2023-4-25
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