测试过程:
首先是对电源施加电压应该为最大电压(VDDmax),这是测试漏电流的最严厉的条件。
测试输入低电平漏电流(IIL)
被测引脚用PMU施加VIL(0V),其他的引脚施加高电平VIH=VDDmax,然后测的电流为IIL(负值);
测试输入高电平漏电流(IIH)
被测引脚用PMU施加高电平(VDDmax),其他的引脚施加低电平(0V),然后测的电流为IIH(正值);
什么漏电电流,是做高压泄漏试验时的漏电电流吗?问题补充:
检测高压泄漏试验时的漏电电流,可选方案有2:
1.用具有自动切换量程的数字(万用)表,(内附工作电池)。
2.用具有光电遥控切换量程的指针式微安表,
此表由光电遥控接收,量程切换,微安表头,和工作电池组成。
不论用什么样的表,都要把表装在金属屏蔽盒内(留有读数窗口),以防高压电场对读数的影响。
屏蔽盒固定于(可拆卸)高压发生器输出端,并与输出端相连接,(假设你用的是负高压输出),表的负端与屏蔽盒相连接,表的正端与被试物相连接。
漏电流是PN结在电压反偏置时通过二极管的电流。发光二极管通常都工作在正向导通状态下,漏电流指标没有多大意义。
主要是对于整流管二极管、开关管二极管、快速恢复二极管、肖特基二极管等元件,漏电流这项指标比较重要,因为它们在工作中经常会处在电压反偏置状态下。
漏电流分为四种,分别为:半导体元件漏电流、电源漏电流、电容漏电流和滤波器漏电流。
PN结在截止时流过的很微小的电流。在D-S设在正向偏置,G-S反向偏置,导电沟道打开后,D到S才会有电流流过。但实际上由于自由电子的存在,自由电子的附着在SIO2和N+、导致D-S有漏电流。
扩展资料:
对电容器施加额定直流工作电压将观察到充电电流的变化开始很大,随着时间而下降,到某一终值时达到较稳定状态这一终值电流称为漏电流。
其计算公式为:i=kcu(μa);其中k值为漏电流常数,单位为μa(v·μf)。
如果滤波器的所有端口与外壳之间是完全绝缘的,则漏电流的值主要取决于共模电容CY的漏电流,即主要取决于CY的容量。
由于滤波器漏电流的大小,涉及到人身安全,国际上各国对它都有严格的标准规定:对于是220V/50Hz交流电网供电,一般要求噪声滤波器的漏电流小于1mA。
参考资料:百度百科---漏电流
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