一、乾照光电
总市值:63亿
乾照光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、高性能砷化镓太阳电池外延片、Mini-LED/Micro-LED以及VCSEL等化合物半导体器件的研发、生产与销售,产品性能指标居国际先进水平。目前公司拥有超过11万平方米的现代化洁净厂房,上万台国际先进的外延生长和芯片制造等设备。它专注创新,依靠具备丰富光电技术积累及产业化经验的专家团队研发出拥有自主知识产权的外延片、芯片,并将其迅速产业化。凭借均匀性、一致性、可靠性等综合性能方面的领先优势,生产的高效砷化镓太阳电池外延片达到了国际先进水平。多项产品达到了国际先进技术水平,成功替代进口。
它是红黄光龙头,有望在新领域深度受益。它是国内红黄芯片市场占有率最高的厂商,现有红黄光生产MOCVD 共26 个腔。对于红外IR 芯片市场,公司进入具有先天优势,而对于MiniLED、MicroLED 的显示新技术,则给公司红黄光芯片应用打开新的空间。公司在红黄光芯片的积累保证了公司在新领域的竞争力。它投资15.97亿投建VCSEL、高端LED 芯片等高端半导体研发生产项目。VCSEL 以砷化镓半导体材料为基础,有别于LED 和LD,广泛应用于光通信、光互联、光存储等领域,从而助推公司战略发展。
综合来讲,它在传统LED芯片领域已经有较大的建树,自己的基本盘比较稳固,同时加大投资,发展高端LED芯片等高端半导体项目,那就等于在稳健的情况下,开启升级发展,在这个赛道它是具备先发优势和底层基础优势的,过程虽然比较艰苦,但完成升级后,将会给它带来实质性的利益,所以资金对它的期待值也会更加的浓厚,它有望在巩固好自身的情况下,进一步提升自己的价值。
二、苏州固锝
总市值:93亿
苏州固锝电子股份有限公司,是在苏州固锝电子有限公司基础上依法转制整体变更的股份有限公司。成立于1990年11月12日,由苏州无线电元件十二厂( 苏州通博电子器材有限公司 的前身)、香港明申公司、中国五金矿产品进出口总公司企荣苏州贸易有限公司投资。经营期限为20年,主要从事生产销售各类 半导体芯片 、二极管、 三极管 及各式 整流桥堆 等系列产品以及电子元件电镀加工。 在二极管制造能力方面公司具有世界水平。
对于它我都没听过!它到底有没有实力?还是被散户忽视的潜龙?它背后究竟有什么驱动?
整流二极体全球第一梯队的公司的部分二极体出自于苏州固锝公司的员工之手,在二极管制造方面公司具有世界一流水平,其芯片两千多种规格的核心技术掌握在公司手中。整流二极管销售额连续十多年居中国前列。公司拥有MEMS-CMOS 三维集成制造平台技术及八吋晶圆级封装技术从而增强公司的 研发实力,将公司技术水平由目前的国内先进提升至国际先进水平。它从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。同时已经拥有从产品设计到最终产品加工的整套解决方案,最大限度地满足客户的需求,并不断提升技术能力和技术等级。
综合来讲,它在二极管制造方面水平极高,同时掌握较多核心技术,通常说技术在手,走遍天下都不怕,它并没有满足于技术上的优势,他还打造了一个完成的产业链,通过系统化规模化的方式提升业绩,还重视客户的个体需求,有应对各种问题解决方案,那么既然有以上的优势和准备,它自己能够巩固自身前排地位,随着 科技 浪潮的来袭,它也有望走出修复空间。
三、亚光 科技
总市值:116亿
亚光 科技 集团股份有限公司原名太阳鸟游艇股份有限公司,总部位于湖南省沅江市。 是国内领先的全材质的游艇、商务艇和特种艇的系统方案提供商。子公司亚光电子多年来保持国内军工电子半导体元器件及微波电路龙头地位,产品广泛应用于各类航天器材及机载、舰载、d载等武器平台,研发团队经验丰富,拥有充足、优质、稳定的军品客户资源,是国内领先的军工电子、微波雷达、智能船艇系统解决方案提供商。
军工相关的导d加卫星需求提升,军工电子有望延续高增长军工电子业务已成为公司核心板块,包括微波电路与组件和半导体器件,如微波二极管和晶体三极管,微波单片、混合集成电路等。它专项高密度集成封装微波电路项目正式启动,将满足星载和d载领域对射频微系统应用快速增长的需要。十四五期间,导d采购数量有望显著增长,低轨卫星建设进度将加快,对于微波组件的需求有望大幅提升,公司军工电子业务将持续高增长。预计亚光 科技 军用芯片业务未来5年复合增速有望达到50%。同时随着后疫情时代的经济复苏,它本身的船艇业务也将带来更多的业绩空间。
综合来讲,它本身业务船艇其实是受到疫情影响的,而后疫情时代,经济的恢复对它船艇业务是向好的,有利于它本业的提升,但这不是它的核心,它的核心是军工电子业务,这块成长非常快速,市场也很广阔,有望给它打开新的天地,同时这个市场具备一定的持续性,那么它的业绩自然会好看,它自然也会水涨船高,有着修复的空间。
半导体材料的特性:
半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电,室温时电阻率一般在10-5~107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大;若掺入活性杂质或用光、射线辐照,可使其电阻率有几个数量级的变化。
此外,半导体材料的导电性对外界条件(如热、光、电、磁等因素)的变化非常敏感,据此可以制造各种敏感元件,用于信息转换。
半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定,反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。
非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度,对于非晶态半导体材料,则没有这一参数。
半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别,更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下,其特性的量值差别。
扩展资料:
材料工艺
半导体材料特性参数的大小与存在于材料中的杂质原子和晶体缺陷有很大关系。例如电阻率因杂质原子的类型和数量的不同而可能作大范围的变化,而载流子迁移率和非平衡载流子寿命
一般随杂质原子和晶体缺陷的增加而减小。另一方面,半导体材料的各种半导体性质又离不开各种杂质原子的作用。而对于晶体缺陷,除了在一般情况下要尽可能减少和消除外,有的情况下也希望控制在一定的水平,甚至当已经存在缺陷时可以经过适当的处理而加以利用。
为了要达到对半导体材料的杂质原子和晶体缺陷这种既要限制又要利用的目的,需要发展一套制备合乎要求的半导体材料的方法,即所谓半导体材料工艺。这些工艺大致可概括为提纯、单晶制备和杂质与缺陷控制。
半导体材料的提纯“主要是除去材料中的杂质。提纯方法可分化学法和物理法。化学提纯是把材料制成某种中间化合物以便系统地除去某些杂质,最后再把材料(元素)从某种容易分解的化合物中分离出来。物理提纯常用的是区域熔炼技术,即将半导体材料铸成锭条,从锭条的一端开始形成一定长度的熔化区域。
利用杂质在凝固过程中的分凝现象,当此熔区从一端至另一端重复移动多次后,杂质富集于锭条的两端。去掉两端的材料,剩下的即为具有较高纯度的材料(见区熔法晶体生长)。此外还有真空蒸发、真空蒸馏等物理方法。锗、硅是能够得到的纯度最高的半导体材料,其主要杂质原子所占比例可以小于百亿分之一。
参考资料:百度百科—半导体材料
MOCVD设备与应用概况
德国AIXTRON公司(德国艾思强公司)和美国VEECO公司(美国维易科精密仪器有限公司)两家公司几乎生产了全球90%以上的主流MOCVD设备。
1、生产效率和成本概况
国际上MOCVD技术已经相当成熟,主流设备从2003 年6-8 片机、2004 年12 片机、2005 年15片机、2006 年的21-24 片机,目前已经达到42、45、49 片机(一次可装载49片2英寸的衬底生长外延)。
外延炉容量的不断扩大让LED 外延片生产商的单位生产成本快速大幅下降。目前,量产企业对单批产能的最低要求是在30片以上。
国产设备目前为6片机,生产效率和生产成本差距甚远。
2、价格及产值概况
生产型MOCVD设备的售价高达1000~2000万元【根据机型,6片机70万美元左右,9片机100万美元左右】,加上相关配套设备设施,一条产线LED生产线需要投入4000 多万元。
若新采购设备为45 片机生产蓝光芯片,按3 炉/天计算,年产4 .9万片左右,收入4800 万元,投入产出基本为1:1。
3、生产过程工艺复杂,参数众多,优良率与均匀性是关键
外延片生长过程工艺复杂,参数众多,培养专业 *** 作人员需时间较长。
一个最简单的GaN蓝光LED单量子阱结构,其生长工艺包括:高温烘烤、缓冲层、重结晶、n-GaN、阱层、叠层及p-GaN等,工艺步骤达几十步,每一步需调整的工艺参数共有20多个,各参数之间存在比较微妙的关系,工艺编辑人员需根据工艺要求,对各个参数进行逐一调整,必要时还要进行计算,如升温速度、升压速度、生长速率控制、载气与气源配比等。如何根据工艺需要自动对参数进行检查,减轻工艺人员的工作量,是值得研究的新兴课题。
每个外延芯片、生产批次与系统之间的关系,能确保良好的均匀性以及优良率,尤其在芯片厂商扩产时,还能维持相同的优良率与均匀性就显的特别关键。
4、4英寸MOCVD设备将成为主流
现阶段台湾外延厂商在技术上已经具备生产4英寸和6英寸的能力,但是出于成本的考虑,多数台湾厂家还是以2英寸的MOVCD设备为生产主线;大部分欧美与韩国厂商则早已使用4英寸MOVCD设备。
市场预期一旦4英寸外延片材料成本大幅崩落(目前4英寸外延片的成本价格约为2寸外延片的四倍),2英寸的MOCVD设备将逐渐被4英寸所取代。
AIXTRON与SemiLEDs在2009年5月就合作开发出6寸蓝光LED芯片,在6x6寸AIX 2800G4 HT MOCVD反应炉的结构上,产量增加约30%(相较于传统42x2-inch的架构),不但均匀性较好,也减少了边缘效应(edge effect)。不过就现阶段而言,大多数的困难仍然在于6寸的基板价格偏高与外延片切割技术的挑战。
一、MOCVD设备市场情况
1、设备供应商概况
目前国际上主要的MOCVD设备供应商有两家:
① 德国AIXTRON公司(德国艾思强公司)
根据Gartner Dataquest最近的一份分析报告,2008年AIXTRON公司MOCVD复合半导体设备的全球占有率达到72%。
目前,AIXTRON公司最先进的独特的行星转盘技术应用在大型G4 2800HT 42*2”以及Thomas Swan(1999年被AIXTRON收购) CCS Crius 30*2” MOCVD系统,使得AIXTRON的MOCVD设备被公认为世界上技术和商业价值最完美的结合。
② 美国VEECO公司
美国维易科精密仪器有限公司占20%以上,其中主打机型45片机K465已经销售超过100台,至今K系列MOCVD产品全球销售超过200台。80%的世界顶尖LED企业已经采用K465型号的MOCVD,截止到目前,VEECO于中国地区大有斩获,累计MOCVD出货已达85台。
VEECO的MOCVD主要有以下优势:
首先,它是量产型机器,能有效提高量产的时间,减少清洗和维护的时间和次数。因为开仓清洗过程需要从高达1000摄氏度的温度冷却后清洗,然后再将温度升高至1000摄氏度,需要浪费不少的时间。
第二,自动化程度高,减少人为 *** 作。例如可自动化导入,机械手在生产完成后可自动更换蓝宝石等,属于量产型的设计。
第三,保护设备投资,防止落伍。避免将来由于新的设备出现,造成旧设备的落伍。通过计划与客户充分沟通,新的设备与旧的设备联系在一起,提升产品的良率。
今年以来由于MOCVD机台供不应求的状况,使得VEECO在这段期间取得了相对有利的市场地位,尤其在中国市场大有斩获。中国地区的成长相较去年成长将近80%。根据了解,由于VEECO开始透过委外代工来增加产能,目前产能规模直追产业龙头AIXTRON,因此明年MOCVD机台供给不足的瓶颈将可望获得解决。
③ 其他厂家
主要包括日本酸素(NIPPON Sanso)和日新电机(Nissin Electric)等,其市场基本限于日本国内。此外,日亚公司和丰田合成的设备主要是自己研发,其GaN-MOCVD 设备不在市场上销售,仅供自用。
从设备性能上来讲,日亚公司设备生产的材料质量和器件性能上,要优于AIXTRON和EMCORE(已经被VEECO收购)的设备。
按生产能力计算,2006 年GaN型MOCVD 设备在全球市场的主要分布为:中国台湾地区48%,美国15%,日本15%,韩国11%,中国大陆7%,欧盟4%。MOCVD的主要厂商虽然为欧美,但最大的两家AIXTRON 和VEECO 都是单纯设备制造商,不会对外延片生产厂构成威胁。
2、国产化艰难(48所简报2008年4月)
MOCVD设备是制作LED外延片的关键设备,而LED外延片的水平决定了整个LED产业的水平。我国于2003年正式实施“国家半导体照明工程”,并在“十五”、“十一五”重点攻关课题和“863”计划中,将MOCVD设备国产化列入重点支持方向。在国家政策的支持下,“十五”期间,我国在MOCVD设备国产化方面已取得了初步成效。中国电子科技集团公司第四十八研究所通过消化吸收和关键技术再创新等措施,研发成功了GaN生产型MOCVD设备(6*2〃),填补了国内空白,使长期制约我国LED产业发展的装备瓶颈得以突破。同时,中科院半导体所、南昌大学、青岛杰生电器等单位也成功研发了研究型的MOCVD设备。然而,国产MOCVD设备还存在以下问题:
(1) 国产MOCVD设备仍处于技术跟踪阶段,设备产业化水平与生产需要不相适应
目前,国内研制的MOCVD设备最大产能为6片(48所的GaN-MOCVD)。然而,截至到2007年12月,在国外推出的最新型MOCVD设备中,AIXTRON已推出行星式反应器的42片机(AIX2800G4 HT)和CCS反应器的30片机(CRIUS)。由于产能的差距,小批量的MOCVD设备外延片生产成本较高,大大降低了设备的性价比,使得国产设备刚研发出来就已经落后了。量产企业对单批产能的最低要求是在30片以上。
(2) 设备造价高,应用风险大,多数厂商更愿意采购技术成熟的进口设备
MOCVD设备的造价昂贵,生产型MOCVD设备的售价高达1000~2000万元。厂商对此类设备的采购均十分谨慎,更愿意采购技术成熟、售后服务完善的进口设备,使得国产MOCVD设备的推广处于尴尬的境地。
(3) 自主创新有待加强,国产MOCVD设备面临专利壁垒
目前,国产MOCVD设备的研发还处于“消化、吸收”阶段,而国外主流商用机型已建立严密的专利保护,如AIXTRON的Planetary Reactor反应器、THOMAS SAWN的CCS(Close Coupled Showerhead Reactor)反应器、VEECO的Turbo Disk反应器和日本SANSO公司双/多束气流(TF)反应器均是自己独有的专利技术,国产MOCVD设备产业化面临专利壁垒的考验。
3、中国MOCVD设备数量与增长情况
【高亮度LED需求强 台湾LED厂商扩产凶猛】
2007统计数据显示:台湾地区MOCVD 机台数量为310台,大陆地区为55 台左右。到2008年底,两地区累计增加了126台。
2008 年底大陆地区增加到87 台,增长58%,由于一些厂商的设备08 年主要是安装调试,以及工艺上的摸索,产能的真正的释放在09 年。
根据不完全统计,2009年中国大陆MOCVD设备新增台数将超过100台左右,从数字上讲,台湾厂商在扩充产能方面领先大陆,晶电、璨圆、泰谷今年以来陆续增购MOCVD机台,预计到今年底,晶电的MOCVD机台总数将达180-190台,璨圆MOCVD机台总数将达33台,泰谷MOCVD机台数也将达27台。
晶电预计明年要再导入30台MOCVD机台,最快在第二季建置完成,届时晶电的MOCVD机台总数将达210-220台。璨圆内部原本也规划明年要扩充30台MOCVD机台,但碍于机台订单太满,第一阶段先确定扩充12台,届时璨圆生产机台数将达45台。泰谷也决定明年将扩增10台MOCVD机台,使MOCVD机台总数达到37台。
广镓目前共有38台MOCVD机台,日前董事也通过办理现金增资,预计将发行新股12万张,以每股金额暂定30元估算,将可筹募36亿元。预期这笔资金将用于扩充蓝/绿光LED之产能,推估广镓将再扩增38-39台MOCVD机台,使生产机台总数达到76-77台。
友达/隆达日前已通过将在中科后里兴建新厂,预计到今年底MOCVD机台总数将有15-20台,2011年以前要逐步完成150-200台MOCVD机台的生产规模建置。奇美电/奇力目前也已有37台MOCVD机台已在量产中,预计明年机台总数将扩增到47台.
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