数字逻辑实验中怎么检验芯片好坏？？

首先检查其外形是否完整，有无引脚脱落或者其他损坏情况。之后可以接入电路，选择记录输入、输出波形，并对波形进行分析。运用逻辑电平，通过电平判断；两种方式来判断。

主要内容：利用示波器测量TTL脉冲信号的基本参数，掌握脉冲信号波形参数基本概念及测量方法，掌握信号源和示波器的基本使用方法。

扩展资料：

用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算的电路称为数字电路，或数字系统。由于它具有逻辑运算和逻辑处理功能，所以又称数字逻辑电路。现代的数字电路由半导体工艺制成的若干数字集成器件构造而成。逻辑门是数字逻辑电路的基本单元。存储器是用来存储二值数据的数字电路。从整体上看，数字电路可以分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。

参考资料来源：百度百科-数字逻辑电路

半导体激光器的调制带宽是指可以输出的或者加载的最高信号速率（对数字信号而言），或者是输出（或加载的）模拟信号的最大带宽。

提高激光器的调制带宽，可以采取以下措施：

①有源区采用应变(抵偿)多量子阱结构-量子阱激光器阱材料由于在平行于阱面方向受到双轴压应变和垂直于阱面方向的拉伸应变，其价带顶的重空穴能级上升，而且这种价带发生退简并，使电子从自旋轨道分裂带向重孔穴带的跃迁几率近似等于零，使室温下的俄歇复合几率减小，从而导致这种量子阱激光器的阈值电流下降，线宽增强因子减小以及弛豫振荡频率、调制带宽、微分增益系数显著提高。

②有源区p型掺杂 p型掺杂可减小穿过SCH区域时的空穴输运，这对高速量子阱器件是主要的限制p型掺杂可以得到非常高的微分增益，并且使量子阱中载流子的分布更加均匀。 若有源区Zn掺杂浓度接近1018cm-3时，其3dB带宽可达25GHz而且掺杂还可使器件的振荡频率增加到30GHz腔长为300μm此外，重掺杂还有利于降低线宽增强因子和进一步提高微分增益，这些都有利于提高器件的调制特性。

③降低电学寄生参数-为了降低高速激光器的电学寄生参数，尤其是寄生电容，可采用半绝缘Fe-InP再生长掩埋技术，同时还需减小电极面积采用自对准窄台面结构(SA -CM以减小器件的寄生电容。人们还常利用填充聚酰亚胺的方法来减小寄生电容。

④提高激光器内部光子浓度和微分增益-增加激光器腔内的光子浓度，可增加本征谐振频率。利用DFB结构使激射波长与增益峰波长为负失谐(-10nm可以提高微分增益，这些都可以增加-3dB调制带宽。 以上分析了限制半导体激光器高速调制特性的因素以及提高激光器调制带宽的途径，这些因素之间与其静态特性之间是相互影响的所以在设计高速激光器时，还需考虑其他特性，如阈值、温度特性等。

芯片好坏检测级别I- 真实性检验（AIR）概述： 通过化学腐蚀及物理显微观察等方法，来检验鉴定器件是否为原半导体厂商的器件。级别II - 直流特性参数测试 （DCCT）概述： 通过专用的IC测试机台来测量记录器件的直流特性参数，并比较分析器件的性能参数，又称静态度测试法。级别III - 关键功能检测验证 （KFR）概述： 根据原厂器件产品的说明或应用笔记（范例），或者终端客户的应用电路，评估设计出可行性专用测试电路，通过外围电路或端口，施加相应的有效激励（信号源）给输入PIN脚，再通过外围电路的调节控制、信号放大或转换匹配等，使用通用的测量仪器或指示形式，来检测验证器件的主要功能是否正常。级别IV - 全部功能及特性参数测试 （FFCT）概述： 根据原厂提供的测试向量或自己仿真编写（比较艰难的过程）的测试向量，使用IC测试机台来测试验证器件的直流特性参数、器件的所有功能或工作运行的状态，但不包括AC参数特性的验证分析。换句话说，完全囊括了级别II和级别III的测试项目。级别V 交流参数测试及分析 (ACCT)概述： 在顺利完成了级别V之后，且所有的测试项目都符合标准，为了进一步验证器件信号传输的特性参数，及边沿特性、而进行AC参数的测试，（例如： Set-Up Time , Hold-On Time 等， 又如采用Shmoo Plote等工具来分析当一个变量随着另一个变量变化而变化的特性曲线图等。 完全包括了级别IV所能解决的问题和测试项目。级别VI 特殊环境测试及分析 (SEAT)概述： 在级别V测试中的各种测试项目都合格通过的前提下，再对器件做环境测试，包括高低温度、高潮湿度、振动等特殊环境对器件电性能的影响。附加检验测试的项目级别EXI 无铅检测及成分分析(LFTA)EXI -A 准试条棒测试仅仅检测器件有害污染成份是否超标。EXI -B 材料分析成份可准确地检测分析出各种成份的含量及比率。

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