在太空中合成半导体的设施将在国际空间站的模型上测试

据塔斯社5月27日报道， 用于在国际空间站 (ISS) 上合成半导体结构的原型装置，由半导体物理研究所 (IFP) 命名，将在2023年初之前接受全面测试。该原型将与国际空间站模型对接。

据悉，多层半导体结构通过分子束外延的方法“生长”：不同元素的原子分层堆叠在特殊的衬底上，从而获得具有所需质量的半导体多层纳米结构。为了使外来原子不会进入新材料并且不会破坏其特性，该过程必须在高真空条件下进行。然而，在陆地条件下很难达到所需的真空参数，而这些参数在太空中很容易获得。为了利用这一优势，科学家们决定直接在轨道上制造半导体产品。

该项目的首席设计师、俄罗斯科学院西伯利亚分院物理与技术研究所实验室负责人亚历山大·尼基福罗夫说：“今年年底到明年年初将进行最后阶段的测试，称为复杂测试，届时该原型将与国际空间站模型对接。”

（编译：张宏伟）

太阳。iss和地球与太阳的距离一样，1.49亿公里(9300万英里)。在这个距离下，它从太阳接收到的能量大约是每平方米1.367千瓦。这种能量可以通过太阳能电池阵列来收集。太阳能电池利用了光电效应：来自太阳的光子撞击ISS上设计好的半导体表面，撞击出自由电子。电导体引导电子沿路径传导，产生电流。

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