半导体二极管伏安特性曲线

半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。用实验的方法，在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压，同时测量流过二极管的电流值，就可得到二极管的伏一安特性曲线。

当正向电压很低时，正向电流几乎为零，P89LPC954FBD这是因为外加电压的电场还不能克服PN结内部的内电场，内电场阻挡了多数载流子的扩散运动，此时二极管呈现高电阻值，基本上还是处于截止的状态。

二极管伏安特性曲线

二极管伏安特性曲线加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。

正向特性：u>0的部分称为正向特性。

反向特性：u<0的部分称为反向特性。

反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。

势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如图5所示。

以上内容参考：百度百科-伏安特性曲线

半导体二极管，由一个PN结组成。

半导体二极管两脚极性表示，如下图：

半导体二极管的特性： 单向导电。电流由正极到负极，反向截止。

半导体二极管的主要用途：整流、检波、钳位

二极管的正向导电特性，呈现出非常明显的非线性------导通后，随着正向电压的增大，正向电流急剧增大。

即：正向电压增大哪怕一点点，电流都会增大很多，电流随电压的增大按指数规律增大。

公式中的IF为正向电流，Is为反向饱和电流，VF为正向电压，q为电子的电荷量，k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度，e≈2.7183。

这里给出一个典型的硅二极管正向伏安特性曲线：

正向导通电压为0.65V，正向电压0.75V时电流为0.35A，正向电压增加到0.8V时，电流急剧增大到2A。