国产芯片水平只能实现90纳米。
从芯片制造环节看,光刻机、蚀刻机、晶圆、光刻胶等设备和材料占比很大。其中光刻机设备,目前上海微电子是90纳米。高端的KrF和ArF光刻胶更是几乎依赖进口,其中ArF光刻胶几乎为零国产。因此,我国要生产高度国产化的芯片,目前90纳米是一个分界点。
这其中还不包含芯片设计使用的EDA设计软件和其它的电子化学气体材料。EDA软件被誉为“芯片设计上的明珠”,国产率不到2%。
90纳米芯片!相当于2004年的半导体工艺。2007年,苹果上市的第一代手机就是使用了90纳米的处理器。可以说,90纳米芯片瞬间让大家回到了15年前的科技生活。
当然,这样的结果只是一种极端的假设。我国半导体产业链,并不是这么差。有些环节、技术、设备已经达到国际水平。譬如芯片设计、人工智能、大数据、5G、蚀刻机。换言之,半导体基础把我国半导体的综合能力拉低了。
因为半导体中的本征电子和空穴浓度会受温度的影响发生明显的变化,即本征载流子的激发浓度会随温度的不同而发生变化,进而影响半导体的各项电学性能。
温度同样会影响半导体中载流子的散射情况。高温下半导体中原子振动加强,增大了对载流子的散射。在对半导体升温的过程中,有一个区间是温度升高电阻率变大
温度会影响半导体掺杂的有效激发
温度会影响半导体中陷阱和缺陷对载流子的俘获能力,已经被俘获载流子的复合几率
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