n型半导体如何转变成p

在不考虑除杂质以外的因素，掺入（可以是用扩散的办法、也可以使用离子注入）比原来的n型杂质更多的p型杂质进行补偿就可以了。

如果考虑其他因素（如位错、界面态等），可能在掺入p型杂质后半导体并不显p型，这时可能要进行退火或其他处理（如GaN中掺Mg，就需要用H处理）。

另外掺入的不一定是三族元素。

不能，半导体被掺入不同的杂质，例如：三族杂质为P型，四族为N型。是个不可逆的过程。

但可以在p型衬底上，通过掺杂形成N阱。同理也可以在但可以在N型衬底上，通过掺杂形成p阱。

硅(Si)材料中离子注入硼或者硼源高温炉管参杂低浓度。比如1e14，这时候为p型半导体，再对该材料子注入磷或或者磷源(如PH3,POCl3)高温炉管参杂高浓度，比如5e14，这时候该材料转为N型半导体。

通过注入、气态源、液态源、固态源扩散进行掺杂可获得N型或P型半导体，例如，掺入硼可得到P型，掺入磷或砷可得到N型。

比如硅材料中参入3价元素杂质（如硼），杂质原子贡献一个空穴，使得原本征半导体成为P型半导体，参入5价元素（如砷）可使得杂质原子贡献1个自由价电子，使得原本征半导体成为N型半导体。

扩展资料：

在一定温度下，电子－空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子－空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。

半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。

参考资料来源：百度百科-本征半导体

---