半导体器件物理

当尺寸缩小时，引起阈值电压下降的主要原因是“短沟道效应”——电荷电荷共享所致。

其他引起阈值电压下降的因素就是温度的升高，但这不管尺寸是否较短，都是有影响的。

至于窄沟道效应，将要引起阈值电压增大（边缘电场所致），而不是降低。

DIBL效应是导致输出伏安特性不饱和的一个原因，但一般并不影响阈值电压。

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