直接带隙和间接带隙半导体

一般情况下，直接带隙半导体可直接吸收能量合适的光子。间接带隙半导体，因为电子跃迁时需要动量守恒，因此吸收光的时候需要吸收或发射声子辅助。这种情况下，间接带隙半导体对光的吸收取决于初始能级的电子密度，终止能级的电子密度以及可利用的声子数量。因此一般情况下间接带隙半导体对光的吸收系数小于直接带隙。吸收同样的光子数量需要更厚的厚度。

导体，半导体，绝缘体，通过能带理论区分的话，是根据带宽来区分的，也就是说倒带到价带之间的宽度，这个称谓带隙。导体的导带一般为半满或者空大，价带中的电子可以通过带隙到导带，因此称谓导体；绝缘体的倒带一般为满带，且带隙一般大于3.6ev，因此不能够形成电子的迁移；对于半导体导带一般为空带，但是带隙较窄一般为0.5-3.6ev，在有杂质能级或者物理场的作用下可以形成电子迁移，这个称谓半导体。

半导体禁带宽度是指半导体材料的能带宽度，也就是半导体材料中电子和空穴的能带宽度。它是由半导体材料的光学带隙值决定的，即半导体材料的能带宽度等于其光学带隙值。一般来说，半导体材料的能带宽度最小为200meV，最大可达500meV。因此，半导体禁带宽度的最小值是200meV，最大值是500meV。

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