晶圆制作工艺

晶圆制作工艺,第1张

https://www.zhihu.com/question/26998618?rf=21019431

要想造个芯片,首先,你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry。

foundry是铸造厂的意思,是外包的晶圆制造公司。

再放大

cool!我们终于看到一个门电路啦。这是一个NAND Gate(与非门),大概是这样的。

A,B是输入,Y是输出。

其中蓝色的是金属1层,绿色是金属2层,紫色是金属3层,粉色是金属4层...

那么晶体管呢?注意,说的是晶体管,但是199X年以后,主要是 mosfet 了,就是 场效应管 了。

仔细看图,看到里面那些白色的点么?那是衬底。

还有一些绿色的边框?那些是active layer(也就是掺杂层)

foundry是怎么做的呢?

大体上可以分为以下几步。

首先搞到一块圆圆的硅晶圆,就是一大块晶体硅,然后打磨得很光滑,一般是圆的。

用紫外线,透过蒙版,照射硅晶圆,被照射到的地方,就会容易被洗掉,没有被照射到的地方,就保持原来的样子。

在硅晶圆,不同的位置,加入不同的杂质。

不同的杂质,根据浓度\位置的不同,就组成了场效应管。

4.1 蚀刻

干蚀刻:之前用光刻出来的形状,其实又很多不是我们需要的,而是为了离子注入而蚀刻的。

现在就要用【离子体】把他们清洗掉,或者是一些,在第一步光刻,先不需要刻出来的结构,这一步进行蚀刻。

湿蚀刻:进一步洗掉,但是用的是试剂,所以叫湿蚀刻。

上面的步骤做完之后,场效应管,就已经被做出来了。

但是以上步骤,一般都不止做一次,很可能需要反反复复地做,以达到要求。

然后慢慢冷却下来,为了让注入的离子,能更好地被启动、被热氧化。

7 化学气相淀积(CVD):进一步精细处理表面的各种物质

8 物理气相淀积(PVD):类似,而且可以给敏感部件加coating

9 分子束外延(MBE):如果需要长单晶的话,就需要这个

10 电镀处理

11 化学/机械表面处理,然后芯片就差不多了,

12 晶圆测试

13 晶圆打磨

就可以出厂封装了。

封装测试厂从来料(晶圆)开始,经过前道的晶圆表面贴膜(WTP)→晶圆背面研磨(GRD)→晶圆背面抛光(polish)→晶圆背面贴膜(W-M)→晶圆表面去膜(WDP)→晶圆烘烤(WBK)→晶圆切割(SAW)→切割后清洗(DWC)→晶圆切割后检查(PSI)→紫外线照射(U-V)→晶片粘结(DB)→银胶固化(CRG)→引线键合(WB)→引线键合后检查(PBI);在经过后道的塑封(MLD)→塑封后固化(PMC)→正印(PTP)→背印(BMK)→切筋(TRM)→电镀(SDP)→电镀后烘烤(APB)→切筋成型(T-F)→终测(FT1)→引脚检查(LSI)→最终目检(FVI)→最终质量控制(FQC)→烘烤去湿(UBK)→包装(P-K)→出货检查(OQC)→入库(W-H)等工序对芯片进行封装和测试,最终出货给客户


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