又称白带效应。
用氮化硅作阻挡层生长氧化层,在这种情况下,氮化硅边缘下面的硅表面会形成一层热生长的氮氧化物,氮化硅与高温的湿氧气氛反应生成氨气,氨气扩散到硅/二氧化硅界面并在那里分解,从而导致白带的形成,这姓氮化物在硅片的表面看起来像是一条绕在有源区边缘的白带,这一缺陷导致有源区内后续生长点的热氧化层(如栅氧)的击穿电压降低,
不知道怎么读,我们都直接叫白带效应
现在有STI(shadow trench isolation)浅槽隔离技术,可以避免这个问题,
希望可以帮助你
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