什么是KOOi效应

这是做LOCOS（硅的局部氧化工艺）的一个问题，

又称白带效应。

用氮化硅作阻挡层生长氧化层，在这种情况下，氮化硅边缘下面的硅表面会形成一层热生长的氮氧化物，氮化硅与高温的湿氧气氛反应生成氨气，氨气扩散到硅/二氧化硅界面并在那里分解，从而导致白带的形成，这姓氮化物在硅片的表面看起来像是一条绕在有源区边缘的白带，这一缺陷导致有源区内后续生长点的热氧化层（如栅氧）的击穿电压降低，

不知道怎么读，我们都直接叫白带效应

现在有STI（shadow trench isolation）浅槽隔离技术，可以避免这个问题，

希望可以帮助你

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