功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
2.功率MOSFET的结构和工作原理
功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。
2.1功率MOSFET的结构
功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），本文主要以VDMOS器件为例进行讨论。
功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元；西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元；摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。
2.2功率MOSFET的工作原理
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面
当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。
2.3功率MOSFET的基本特性
2.3.1静态特性；其转移特性和输出特性如图2所示。
漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs
MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。
2.3.2动态特性；其测试电路和开关过程波形如图3所示。
开通过程；开通延迟时间td(on) —up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段；
上升时间tr— uGS从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段；
iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。UGSP的大小和iD的稳态值有关，UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。
开通时间ton—开通延迟时间与上升时间之和。
关断延迟时间td(off) —up下降到零起，Cin通过Rs和RG放电，uGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小为零的时间段。
下降时间tf— uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGS晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上因大面积带来的大电容，所以其dv/dt能力是较为脆弱的。对di/dt来说，它还存在一个导通区的扩展问题，所以也带来相当严格的限制。
功率MOSFET的情况有很大的不同。它的dv/dt及di/dt的能力常以每纳秒（而不是每微秒）的能力来估量。但尽管如此，它也存在动态性能的限制。这些我们可以从功率MOSFET的基本结构来予以理解。
图4是功率MOSFET的结构和其相应的等效电路。除了器件的几乎每一部分存在电容以外，还必须考虑MOSFET还并联着一个二极管。同时从某个角度看、它还存在一个寄生晶体管。（就像IGBT也寄生着一个晶闸管一样）。这几个方面，是研究MOSFET动态特性很重要的因素。
首先MOSFET结构中所附带的本征二极管具有一定的雪崩能力。通常用单次雪崩能力和重复雪崩能力来表达。当反向di/dt很大时，二极管会承受一个速度非常快的脉冲尖刺，它有可能进入雪崩区，一旦超越其雪崩能力就有可能将器件损坏。作为任一种PN结二极管来说，仔细研究其动态特性是相当复杂的。它们和我们一般理解PN结正向时导通反向时阻断的简单概念很不相同。当电流迅速下降时，二极管有一阶段失去反向阻断能力，即所谓反向恢复时间。PN结要求迅速导通时，也会有一段时间并不显示很低的电阻。在功率MOSFET中一旦二极管有正向注入，所注入的少数载流子也会增加作为多子器件的MOSFET的复杂性。
功率MOSFET的设计过程中采取措施使其中的寄生晶体管尽量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但总的原则是使漏极下的横向电阻RB尽量小。因为只有在漏极N区下的横向电阻流过足够电流为这个N区建立正偏的条件时，寄生的双极性晶闸管才开始发难。然而在严峻的动态条件下，因dv/dt通过相应电容引起的横向电流有可能足够大。此时这个寄生的双极性晶体管就会起动，有可能给MOSFET带来损坏。所以考虑瞬态性能时对功率MOSFET器件内部的各个电容（它是dv/dt的通道）都必须予以注意。
瞬态情况是和线路情况密切相关的，这方面在应用中应给予足够重视。对器件要有深入了解，才能有利于理解和分析相应的问题。
3.高压MOSFET原理与性能分析
在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随之以2.4-2.6次方增长，其增长速度使MOSFET制造者和应用者不得不以数十倍的幅度降低额定电流，以折中额定电流、导通电阻和成本之间的矛盾。即便如此，高压MOSFET在额定结温下的导通电阻产生的导通压降仍居高不下，耐压500V以上的MOSFET的额定结温、额定电流条件下的导通电压很高，耐压800V以上的导通电压高得惊人，导通损耗占MOSFET总损耗的2/3-4/5，使应用受到极大限制。
3.1降低高压MOSFET导通电阻的原理与方法
3.1.1 不同耐压的MOSFET的导通电阻分布。不同耐压的MOSFET，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOSFET，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOSFET的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。由此可以推断耐压800V的MOSFET的导通电阻将几乎被外延层电阻占据。欲获得高阻断电压，就必须采用高电阻率的外延层，并增厚。这就是常规高压MOSFET结构所导致的高导通电阻的根本原因。
3.1.2 降低高压MOSFET导通电阻的思路。增加管芯面积虽能降低导通电阻，但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流子导电虽能降低导通压降，但付出的代价是开关速度的降低并出现拖尾电流，开关损耗增加，失去了MOSFET的高速的优点。
以上两种办法不能降低高压MOSFET的导通电阻，所剩的思路就是如何将阻断高电压的低掺杂、高电阻率区域和导电通道的高掺杂、低电阻率分开解决。如除导通时低掺杂的高耐压外延层对导通电阻只能起增大作用外并无其他用途。这样，是否可以将导电通道以高掺杂较低电阻率实现，而在MOSFET关断时，设法使这个通道以某种方式夹断，使整个器件耐压仅取决于低掺杂的N-外延层。基于这种思想，1988年INFINEON推出内建横向电场耐压为600V的COOLMOS，使这一想法得以实现。内建横向电场的高压MOSFET的剖面结构及高阻断电压低导通电阻的示意图如图5所示。
与常规MOSFET结构不同，内建横向电场的MOSFET嵌入垂直P区将垂直导电区域的N区夹在中间，使MOSFET关断时，垂直的P与N之间建立横向电场，并且垂直导电区域的N掺杂浓度高于其外延区N-的掺杂浓度。
当VGS＜VTH时，由于被电场反型而产生的N型导电沟道不能形成，并且D，S间加正电压，使MOSFET内部PN结反偏形成耗尽层，并将垂直导电的N区耗尽。这个耗尽层具有纵向高阻断电压，如图5（b）所示，这时器件的耐压取决于P与N-的耐压。因此N-的低掺杂、高电阻率是必需的。
当CGS＞VTH时，被电场反型而产生的N型导电沟道形成。源极区的电子通过导电沟道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷，从而恢复被耗尽的N型特性，因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率，因而导通电阻较常规MOSFET将明显降低。
通过以上分析可以看到：阻断电压与导通电阻分别在不同的功能区域。将阻断电压与导通电阻功能分开，解决了阻断电压与导通电阻的矛盾，同时也将阻断时的表面PN结转化为掩埋PN结，在相同的N-掺杂浓度时，阻断电压还可进一步提高。
3.2内建横向电场MOSFET的主要特性
3.2.1 导通电阻的降低。INFINEON的内建横向电场的MOSFET，耐压600V和800V，与常规MOSFET器件相比，相同的管芯面积，导通电阻分别下降到常规MOSFET的1/5， 1/10；相同的额定电流，导通电阻分别下降到1/2和约1/3。在额定结温、额定电流条件下，导通电压分别从12.6V，19.1V下降到6.07V，7.5V；导通损耗下降到常规MOSFET的1/2和1/3。由于导通损耗的降低，发热减少，器件相对较凉，故称COOLMOS。
3.2.2 封装的减小和热阻的降低。相同额定电流的COOLMOS的管芯较常规MOSFET减小到1/3和1/4，使封装减小两个管壳规格，如表1所示。
表1封装与电流、电压额定值
由于COOLMOS管芯厚度仅为常规MOSFET的1/3，使TO-220封装RTHJC从常规1℃/W降到0.6℃/W；额定功率从125W上升到208W，使管芯散热能力提高。
3.2.3 开关特性的改善。COOLMOS的栅极电荷与开关参数均优于常规MOSFET，很明显，由于QG，特别是QGD的减少，使COOLMOS的开关时间约为常规MOSFET的1/2；开关损耗降低约50%。关断时间的下降也与COOLMOS内部低栅极电阻(＜1Ω＝有关。
3.2.4 抗雪崩击穿能力与SCSOA。目前，新型的MOSFET无一例外地具有抗雪崩击穿能力。COOLMOS同样具有抗雪崩能力。在相同额定电流下，COOLMOS的IAS与ID25℃相同。但由于管芯面积的减小，IAS小于常规MOSFET，而具有相同管芯面积时，IAS和EAS则均大于常规MOSFET。
COOLMOS的最大特点之一就是它具有短路安全工作区（SCSOA），而常规MOS不具备这个特性。COOLMOS的SCSOA的获得主要是由于转移特性的变化和管芯热阻降低。COOLMOS的转移特性如图6所示。从图6可以看到，当VGS＞8V时，COOLMOS的漏极电流不再增加，呈恒流状态。特别是在结温升高时，恒流值下降，在最高结温时，约为ID25℃的2倍，即正常工作电流的3-3.5倍。在短路状态下，漏极电流不会因栅极的15V驱动电压而上升到不可容忍的十几倍的ID25℃，使COOLMOS在短路时所耗散的功率限制在350V×2ID25℃，尽可能地减少短路时管芯发热。管芯热阻降低可使管芯产生的热量迅速地散发到管壳，抑制了管芯温度的上升速度。因此，COOLMOS可在正常栅极电压驱动，在0.6VDSS电源电压下承受10ΜS短路冲击，时间间隔大于1S，1000次不损坏，使COOLMOS可像IGBT一样，在短路时得到有效的保护。
3.3关于内建横向电场高压MOSFET发展现状
继INFINEON1988年推出COOLMOS后，2000年初ST推出500V类似于COOLMOS的内部结构，使500V，12A的MOSFET可封装在TO-220管壳内，导通电阻为0.35Ω，低于IRFP450的0.4Ω，电流额定值与IRFP450相近。IXYS也有使用COOLMOS技术的MOSFET。IR公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封装的超级MOSFET，额定电流分别为35A，59A，导通电阻分别为0.082Ω，0.045Ω，150℃时导通压降约4.7V。从综合指标看，这些MOSFET均优于常规MOSFET，并不是因为随管芯面积增加，导通电阻就成比例地下降，因此，可以认为，以上的MOSFET一定存在类似横向电场的特殊结构，可以看到，设法降低高压MOSFET的导通压降已经成为现实，并且必将推动高压MOSFET的应用。
3.4 COOLMOS与IGBT的比较
600V、800V耐压的COOLMOS的高温导通压降分别约6V，7.5V，关断损耗降低1/2，总损耗降低1/2以上，使总损耗为常规MOSFET的40%-50%。常规600V耐压MOSFET导通损耗占总损耗约75%，对应相同总损耗超高速IGBT的平衡点达160KHZ，其中开关损耗占约75%。由于COOLMOS的总损耗降到常规MOSFET的40%-50%，对应的IGBT损耗平衡频率将由160KHZ降到约40KHZ，增加了MOSFET在高压中的应用。
从以上讨论可见，新型高压MOSFET使长期困扰高压MOSFET的导通压降高的问题得到解决；可简化整机设计，如散热器件体积可减少到原40%左右；驱动电路、缓冲电路简化；具备抗雪崩击穿能力和抗短路能力；简化保护电路并使整机可靠性得以提高。
4.功率MOSFET驱动电路
功率MOSFET是电压型驱动器件，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高，驱动功率小，电路简单。但功率MOSFET的极间电容较大，输入电容CISS、输出电容COSS和反馈电容CRSS与极间电容的关系可表述为：
功率MOSFET的栅极输入端相当于一个容性网络，它的工作速度与驱动源内阻抗有关。由于 CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱动电流。假定开关管饱和导通需要的栅极电压值为VGS，开关管的开通时间TON包括开通延迟时间TD和上升时间TR两部分。
开关管关断过程中，CISS通过ROFF放电，COSS由RL充电，COSS较大，VDS（T）上升较慢，随着VDS(T)上升较慢，随着VDS（T）的升高COSS迅速减小至接近于零时，VDS（T）再迅速上升。
根据以上对功率MOSFET特性的分析，其驱动通常要求：触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度；②开通时以低电阻力栅极电容充电，关断时为栅极提供低电阻放电回路，以提高功率MOSFET的开关速度；③为了使功率MOSFET可靠触发导通，触发脉冲电压应高于管子的开启电压，为了防止误导通，在其截止时应提供负的栅源电压；④功率开关管开关时所需驱动电流为栅极电容的充放电电流，功率管极间电容越大，所需电流越大，即带负载能力越大。
4.1几种MOSFET驱动电路介绍及分析
4.1.1不隔离的互补驱动电路。图7（a）为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低。适用于不要求隔离的小功率开关设备。图7（b）所示驱动电路开关速度很快，驱动能力强，为防止两个MOSFET管直通，通常串接一个0.5～1Ω小电阻用于限流，该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。这两种电路特点是结构简单。
功率MOSFET属于电压型控制器件，只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。由于MOSFET存在结电容，关断时其漏源两端电压的突然上升将会通过结电容在栅源两端产生干扰电压。常用的互补驱动电路的关断回路阻抗小，关断速度较快，但它不能提供负压，故抗干扰性较差。为了提高电路的抗干扰性，可在此种驱动电路的基础上增加一级有V1、V2、R组成的电路，产生一个负压，电路原理图如图8所示。
当V1导通时，V2关断，两个MOSFET中的上管的栅、源极放电，下管的栅、源极充电，即上管关断，下管导通，则被驱动的功率管关断；反之V1关断时，V2导通，上管导通，下管关断，使驱动的管子导通。因为上下两个管子的栅、源极通过不同的回路充放电，包含有V2的回路，由于V2会不断退出饱和直至关断，所以对于S1而言导通比关断要慢，对于S2而言导通比关断要快，所以两管发热程度也不完全一样，S1比S2发热严重。
该驱动电路的缺点是需要双电源，且由于R的取值不能过大，否则会使V1深度饱和，影响关断速度，所以R上会有一定的损耗。
4.1.2隔离的驱动电路
（1）正激式驱动电路。电路原理如图9（a）所示，N3为去磁绕组，S2为所驱动的功率管。R2为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。因不要求漏感较小，且从速度方面考虑，一般R2较小，故在分析中忽略不计。
其等效电路图如图9（b）所示脉冲不要求的副边并联一电阻R1，它做为正激变换器的假负载，用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通。同时它还可以作为功率MOSFET关断时的能量泄放回路。该驱动电路的导通速度主要与被驱动的S2栅极、源极等效输入电容的大小、S1的驱动信号的速度以及S1所能提供的电流大小有关。由仿真及分析可知，占空比D越小、R1越大、L越大，磁化电流越小，U1值越小，关断速度越慢。该电路具有以下优点：
①电路结构简单可靠，实现了隔离驱动。
②只需单电源即可提供导通时的正、关断时负压。
③占空比固定时，通过合理的参数设计，此驱动电路也具有较快的开关速度。
该电路存在的缺点：一是由于隔离变压器副边需要噎嗝假负载防振荡，故电路损耗较大；二是当占空比变化时关断速度变化较大。脉宽较窄时，由于是储存的能量减少导致MOSFET栅极的关断速度变慢。
（2）有隔离变压器的互补驱动电路。如图10所示，V1、V2为互补工作，电容C起隔离直流的作用，T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。
导通时隔离变压器上的电压为（1-D）Ui、关断时为D Ui，若主功率管S可靠导通电压为12V，而隔离变压器原副边匝比N1/N2为12/[（1-D）Ui]。为保证导通期间GS电压稳定C值可稍取大些。该电路具有以下优点：
①电路结构简单可靠，具有电气隔离作用。当脉宽变化时，驱动的关断能力不会随着变化。
②该电路只需一个电源，即为单电源工作。隔直电容C的作用可以在关断所驱动的管子时提供一个负压，从而加速了功率管的关断，且有较高的抗干扰能力。
但该电路存在的一个较大缺点是输出电压的幅值会随着占空比的变化而变化。当D较小时，负向电压小，该电路的抗干扰性变差，且正向电压较高，应该注意使其幅值不超过MOSFET栅极的允许电压。当D大于0.5时驱动电压正向电压小于其负向电压，此时应该注意使其负电压值不超过MOAFET栅极允许电压。所以该电路比较适用于占空比固定或占空比变化范围不大以及占空比小于0.5的场合。
（3）集成芯片UC3724/3725构成的驱动电路
电路构成如图11所示。其中UC3724用来产生高频载波信号，载波频率由电容CT和电阻RT决定。一般载波频率小于600kHz，4脚和6脚两端产生高频调制波，经高频小磁环变压器隔离后送到UC3725芯片7、8两脚经UC3725进行调制后得到驱动信号，UC3725内部有一肖特基整流桥同时将7、8脚的高频调制波整流成一直流电压供驱动所需功率。一般来说载波频率越高驱动延时越小，但太高抗干扰变差；隔离变压器磁化电感越大磁化电流越小，UC3724发热越少，但太大使匝数增多导致寄生参数影响变大，同样会使抗干扰能力降低。根据实验数据得出：对于开关频率小于100kHz的信号一般取（400～500）kHz载波频率较好，变压器选用较高磁导如5K、7K等高频环形磁芯，其原边磁化电感小于约1毫亨左右为好。这种驱动电路仅适合于信号频率小于100kHz的场合，因信号频率相对载波频率太高的话，相对延时太多，且所需驱动功率增大，UC3724和UC3725芯片发热温升较高，故100kHz以上开关频率仅对较小极电容的MOSFET才可以。对于1kVA左右开关频率小于100kHz的场合，它是一种良好的驱动电路。该电路具有以下特点：单电源工作，控制信号与驱动实现隔离，结构简单尺寸较小，尤其适用于占空比变化不确定或信号频率也变化的场合。
计算机英文术语完全介绍1、CPU
3DNow!（3D no waiting）
ALU（Arithmetic Logic Unit，算术逻辑单元）
AGU（Address Generation Units，地址产成单元）
BGA（Ball Grid Array，球状矩阵排列）
BHT（branch prediction table，分支预测表）
BPU（Branch Processing Unit，分支处理单元）
Brach Pediction（分支预测）
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）
CISC（Complex Instruction Set Computing，复杂指令集计算机）
CLK（Clock Cycle，时钟周期）
COB（Cache on board，板上集成缓存）
COD（Cache on Die，芯片内集成缓存）
CPGA（Ceramic Pin Grid Array，陶瓷针型栅格数组）
CPU（Center Processing Unit，中央处理器）
Data Forwarding（数据前送）
Decode（指令译码）
DIB（Dual Independent Bus，双独立总线）
EC（Embedded Controller，嵌入式控制器）
Embedded Chips（嵌入式处理器）
EPIC（explicitly parallel instruction code，并行指令代码）
FADD（Floationg Point Addition，浮点加）
FCPGA（Flip Chip Pin Grid Array，反转芯片针脚栅格数组）
FDIV（Floationg Point Divide，浮点除）
FEMMS（Fast Entry/Exit Multimedia State，快速进入/退出多媒体状态）
FFT（fast Fourier transform，快速热奥姆转换）
FID（FID：Frequency identify，频率鉴别号码）
FIFO（First Input First Output，先入先出队列）
flip-chip（芯片反转）
FLOP（Floating Point Operations Per Second，浮点 *** 作/秒）
FMUL（Floationg Point Multiplication，浮点乘）
FPU（Float Point Unit，浮点运算单元）
FSUB（Floationg Point Subtraction，浮点减）
HL-PBGA（表面黏着，高耐热、轻薄型塑料球状矩阵封装）
IA（Intel Architecture，英特尔架构）
ICU（Instruction Control Unit，指令控制单元）
ID（identify，鉴别号码）
IDF（Intel Developer Forum，英特尔开发者论坛）
IEU（Integer Execution Units，整数执行单元）
IMM（Intel Mobile Module，英特尔移动模块）
Instructions Cache（指令缓存）
Instruction Coloring（指令分类）
IPC（Instructions Per Clock Cycle，指令/时钟周期）
ISA（instruction set architecture，指令集架构）
KNI（Katmai New Instructions，Katmai新指令集，即SSE）
Latency（潜伏期）
LDT（Lightning Data Transport，闪电数据传输总线）
Local Interconnect（局域互连）
MESI（Modified，Exclusive，Shared，Invalid：修改、排除、共享、废弃）
MMX（MultiMedia Extensions，多媒体扩展指令集）
MMU（Multimedia Unit，多媒体单元）
MFLOPS（Million Floationg Point/Second，每秒百万个浮点 *** 作）
MHz（Million Hertz，兆赫兹）
MP（Multi-Processing，多重处理器架构）
MPS（MultiProcessor Specification，多重处理器规范）
MSRs（Model-Specific Registers，特别模块寄存器）
NAOC（no-account OverClock，无效超频）
NI（Non－Intel，非英特尔）
OLGA（Organic Land Grid Array，基板栅格数组）
OoO（Out of Order，乱序执行）
PGA（Pin-Grid Array，引脚网格数组，耗电大）
PR（Performance Rate，性能比率）
PSN（Processor Serial numbers，处理器序列号）
PIB（Processor In a Box，盒装处理器）
PPGA（Plastic Pin Grid Array，塑料针状矩阵封装）
PQFP（Plastic Quad Flat Package，塑料方块平面封装）
RAW（Read after Write，写后读）
Register Contention（抢占寄存器）
Register Pressure（寄存器不足）
Register Renaming（寄存器重命名）
Remark（芯片频率重标识）
Resource contention（资源冲突）
Retirement（指令引退）
RISC（Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机）
SEC（Single Edge Connector，单边连接器）
Shallow-trench isolation（浅槽隔离）
SIMD（Single Instruction Multiple Data，单指令多数据流）
SiO2F（Fluorided Silicon Oxide，二氧氟化硅）
SMI（System Management Interrupt，系统管理中断）
SMM（System Management Mode，系统管理模式）
SMP（Symmetric Multi-Processing，对称式多重处理架构）
SOI（Silicon-on-insulator，绝缘体硅片）
SONC（System on a chip，系统集成芯片）
SPEC（System Performance Evaluation Corporation，系统性能评估测试）
SQRT（Square Root Calculations，平方根计算）
SSE（Streaming SIMD Extensions，单一指令多数据流扩展）
Superscalar（超标量体系结构）
TCP（Tape Carrier Package，薄膜封装，发热小）
Throughput（吞吐量）
TLB（Translate Look side Buffers，翻译旁视缓冲器）
USWC（Uncacheabled Speculative Write Combination，无缓冲随机联合写 *** 作）
VALU（Vector Arithmetic Logic Unit，向量算术逻辑单元）
VLIW（Very Long Instruction Word，超长指令字）
VPU（Vector Permutate Unit，向量排列单元）
VPU（vector processing units，向量处理单元，即处理MMX、SSE等SIMD指令的地方）
2、主板
ADIMM（advanced Dual In-line Memory Modules，高级双重内嵌式内存模块）
AMR（Audio／Modem Riser；音效／调制解调器主机板附加直立插卡）
AHA（Accelerated Hub Architecture，加速中心架构）
ASK IR（Amplitude Shift Keyed Infra-Red，长波形可移动输入红外线）
ATX（AT Extend，扩展型AT）
BIOS（Basic Input/Output System，基本输入/输出系统）
CSE（Configuration Space Enable，可分配空间）
DB（Device Bay，设备插架）
DMI（Desktop Management Interface，桌面管理接口）
EB（Expansion Bus，扩展总线）
EISA（Enhanced Industry Standard Architecture，增强形工业标准架构）
EMI（Electromagnetic Interference，电磁干扰）
ESCD（Extended System Configuration Data，可扩展系统配置数据）
FBC（Frame Buffer Cache，帧缓冲缓存）
FireWire（火线，即IEEE1394标准）
FSB（Front Side Bus，前置总线，即外部总线）
FWH（ Firmware Hub，固件中心）
GMCH（Graphics &Memory Controller Hub，图形和内存控制中心）
GPIs（General Purpose Inputs，普通 *** 作输入）
ICH（Input/Output Controller Hub，输入/输出控制中心）
IR（infrared ray，红外线）
IrDA（infrared ray，红外线通信接口可进行局域网存取和档共享）
ISA（Industry Standard Architecture，工业标准架构）
ISA（instruction set architecture，工业设置架构）
MDC（Mobile Daughter Card，移动式子卡）
MRH-R（Memory Repeater Hub，内存数据处理中心）
MRH-S（SDRAM Repeater Hub，SDRAM数据处理中心）
MTH（Memory Transfer Hub，内存转换中心）
NGIO（Next Generation Input/Output，新一代输入/输出标准）
P64H（64-bit PCI Controller Hub，64位PCI控制中心）
PCB（printed circuit board，印刷电路板）
PCBA（Printed Circuit Board Assembly，印刷电路板装配）
PCI（Peripheral Component Interconnect，互连外围设备）
PCI SIG（Peripheral Component Interconnect Special Interest Group，互连外围设备专业组）
POST（Power On Self Test，加电自测试）
RNG（Random number Generator，随机数字发生器）
RTC（Real Time Clock，实时时钟）
KBC（KeyBroad Control，键盘控制器）
SBA（Side Band Addressing，边带寻址）
SMA（Share Memory Architecture，共享内存结构）
STD（Suspend To Disk，磁盘唤醒）
STR（Suspend To RAM，内存唤醒）
SVR（Switching Voltage Regulator，交换式电压调节）
USB（Universal Serial Bus，通用串行总线）
USDM（Unified System Diagnostic Manager，统一系统监测管理器）
VID（Voltage Identification Definition，电压识别认证）
VRM （Voltage Regulator Module，电压调整模块）
ZIF（Zero Insertion Force，零插力）
主板技术
技嘉
ACOPS: Automatic CPU OverHeat Prevention System（CPU过热预防系统）
SIV: System Information Viewer（系统信息观察）
盘英
ESDJ（Easy Setting Dual Jumper，简化CPU双重跳线法）
浩鑫
UPT（USB、PANEL、LINK、TV-OUT四重界面）
芯片组
ACPI（Advanced Configuration and Power Interface，先进设置和电源管理）
AGP（Accelerated Graphics Port，图形加速接口）
I/O（Input/Output，输入/输出）
MIOC（Memory and I/O Bridge Controller，内存和I/O桥控制器）
NBC（North Bridge Chip，北桥芯片）
PIIX（PCI ISA/IDE Accelerator，加速）
PSE36（Page Size Extension 36－bit，36位页面尺寸扩展模式）
PXB（PCI Expander Bridge，PCI增强桥）
RCG（RAS/CAS Generator，RAS/CAS发生器）
SBC（South Bridge Chip，南桥芯片）
SMB（System Management Bus，全系统管理总线）
SPD（Serial Presence Detect，内存内部序号检测装置）
SSB（Super South Bridge，超级南桥芯片）
TDP（Triton Data Path，数据路径）
TSC（Triton System Controller，系统控制器）
QPA（Quad Port Acceleration，四界面加速）
3、显示设备
ASIC（Application Specific Integrated Circuit，特殊应用集成电路）
ASC（Auto-Sizing and Centering，自动调效屏幕尺寸和中心位置）
BLA（Bearn Landing Area，电子束落区）
CRC（Cyclical Redundancy Check，循环冗余检查）
CRT（Cathode Ray Tube，阴极射线管）
DDC（Display Data Channel，显示数据信道）
DFL（Dynamic Focus Lens，动态聚焦）
DFS（Digital Flex Scan，数字伸缩扫描）
DIC（Digital Image Control，数字图像控制）
Digital Multiscan II（数字式智能多频追踪）
DLP（digital Light Processing，数字光处理）
DOSD（Digital On Screen Display，同屏数字化显示）
DPMS（Display Power Management Signalling，显示能源管理信号）
DQL（Dynamic Quadrapole Lens，动态四极镜）
DSP（Digital Signal Processing，数字信号处理）
EFEAL（Extended Field Elliptical Aperture Lens，可扩展扫描椭圆孔镜头）
FRC（Frame Rate Control，帧比率控制）
LCD（liquid crystal display，液晶显示屏）
LCOS（Liquid Crystal On Silicon，硅上液晶）
LED（light emitting diode，光学二级管）
L-SAGIC（Low Power-Small Aperture G1 wiht Impregnated Cathode，低电压光圈阴极管）
LVDS（Low Voltage Differential Signal，低电压差动信号）
MALS（Multi Astigmatism Lens System，多重散光聚焦系统）
MDA（Monochrome Adapter，单色设备）
MS（Magnetic Sensors，磁场感应器）
Porous Tungsten（活性钨）
RSDS（Reduced Swing Differential Signal，小幅度摆动差动信号）
Shadow Mask（阴罩式）
TDT（Timeing Detection Table，资料测定表）
TICRG（Tungsten Impregnated Cathode Ray Gun，钨传输阴级射线q）
TFT（thin film transistor，薄膜晶体管）
VAGP（Variable Aperature Grille Pitch，可变间距光栅）
VBI（Vertical Blanking Interval，垂直空白间隙）
VDT（Video Display Terminals，视频显示终端）
VRR（Vertical Refresh Rate，垂直扫描频率）
4、视频
3D（Three Dimensional，三维）
3DS（3D SubSystem，三维子系统）
AE（Atmospheric Effects，雾化效果）
AFR（Alternate Frame Rendering，交替渲染技术）
Anisotropic Filtering（各向异性过滤）
APPE（Advanced Packet Parsing Engine，增强形帧解析引擎）
AV（Analog Video，模拟视频）
Back Buffer（后置缓冲）
Backface culling（隐面消除）
Battle for Eyeballs（眼球大战，各3D图形芯片公司为了争夺用户而作的竞争）
Bilinear Filtering（双线性过滤）
CG（Computer Graphics，计算机生成图像）
Clipping（剪贴纹理）
Clock Synthesizer（时钟合成器）
compressed textures（压缩纹理）
Concurrent Command Engine（协作命令引擎）
Center Processing Unit Utilization(中央处理器占用率)
DAC（Digital to Analog Converter，数模传换器）
Decal（印花法，用于生成一些半透明效果，如：鲜血飞溅的场面）
DFP（Digital Flat Panel，数字式平面显示器）
DFS: Dynamic Flat Shading（动态平面描影，可用作加速）
Dithering（抖动）
Directional Light（方向性光源）
DME: Direct Memory Execute（直接内存执行）
DOF（Depth of Field，多重境深）
dot texture blending（点型纹理混和）
Double Buffering（双缓冲区）
DIR（Direct Rendering Infrastructure，基层直接渲染）
DVI（Digital Video Interface，数字视频接口）
DxR（DynamicXTended Resolution，动态可扩展分辨率）
DXTC（Direct X Texture Compress，DirectX纹理压缩，以S3TC为基础）
Dynamic Z-buffering（动态Z轴缓冲区），显示物体远近，可用作远景
E-DDC（Enhanced Display Data Channel，增强形视频数据信道协议，定义了显示输出与主系统之间的通讯信道，能提高显示输出的画面质量）
Edge Anti－aliasing（边缘抗锯齿失真）
E-EDID（Enhanced Extended Identification Data，增强形扩充身份辨识数据，定义了计算机通讯视频主系统的数据格式）
Execute Buffers（执行缓冲区）
environment mapped bump mapping（环境凹凸映射）
Extended Burst Transactions（增强式突发处理）
Front Buffer（前置缓冲）
Flat（平面描影）
Frames rate is King（帧数为王）
FSAA（Full Scene Anti－aliasing，全景抗锯齿失真）
Fog（雾化效果）
flip double buffered（反转双缓存）
fog table quality（雾化表画质）
GART（Graphic Address Remappng Table，图形地址重绘表）
Gouraud Shading（高洛德描影，也称为内插法均匀涂色）
GPU（Graphics Processing Unit，图形处理器）
GTF（Generalized Timing Formula，一般程序时间，定义了产生画面所需要的时间，包括了诸如画面刷新率等）
HAL（Hardware Abstraction Layer，硬件抽像化层）
hardware motion compensation（硬件运动补偿）
HDTV（high definition television，高清晰度电视）
HEL: Hardware Emulation Layer（硬件模拟层）
high triangle count（复杂三角形计数）
5、音频
3DPA（3D Positional Audio，3D定位音频）
AC（Audio Codec，音频多媒体数字信号编译码器）
Auxiliary Input（辅助输入接口）
CS（Channel Separation，声道分离）
DS3D（DirectSound 3D Streams）
DSD（Direct Stream Digital，直接数字信号流）
DSL（Down Loadable Sample，可下载的取样音色）
DLS-2（Downloadable Sounds Level 2，第二代可下载音色）
EAX（Environmental Audio Extensions，环境音效扩展技术）
FM（Frequency Modulation，频率调制）
FR（Frequence Response，频率响应）
FSE（Frequency Shifter Effect，频率转换效果）
HRTF（Head Related Transfer Function，头部关联传输功能）
IAS（Interactive Around-Sound，交互式环绕声）
MIDI（Musical Instrument Digital Interface，乐器数字接口）
NDA（non-DWORD-aligned ，非DWORD排列）
Raw PCM: Raw Pulse Code Modulated（元脉码调制）
RMA（RealMedia Architecture，实媒体架构）
RTSP（Real Time Streaming Protocol，实时流协议）
SACD（Super Audio CD，超级音乐CD）
SNR（Signal to Noise Ratio，信噪比）
S/PDIF（Sony/Phillips Digital Interface，索尼/飞利普数字接口）
SRS（Sound Retrieval System，声音修复系统）
Super Intelligent Sound ASIC（超级智慧音频集成电路）
THD+N（Total Harmonic Distortion plus Noise，总谐波失真加噪音）
QEM（QSound Environmental Modeling，QSound环境建模）
WG（Wave Guide，波导合成）
WT（Wave Table，波表合成）
6、RAM&ROM
ABP（Address Bit Permuting，地址位序列改变）
ATC（Access Time from Clock，时钟存取时间）
BSRAM（Burst pipelined synchronous static RAM，突发式管道同步静态内存）
CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）
CCT（Clock Cycle Time，时钟周期）
DB（Deep Buffer，深度缓冲）
DDR SDRAM（Double Date Rate，双数据率SDRAM）
DIL（dual-in-line）
DIMM（Dual In-line Memory Modules，双重内嵌式内存模块）
DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机内存）
DRDRAM（Direct RAMbus DRAM，直接RAMbus内存）
ECC（Error Checking and Correction，错误检查修正）
EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM,电擦写可编程只读存储器）
FM（Flash Memory，闪存）
FMD ROM （Fluorescent Material Read Only Memory，荧光质只读存储器）
PIROM（Processor Information ROM，处理器信息ROM）
PLEDM（Phase-state Low Electron（hole）-number Drive Memory）
RAC（Rambus Asic Cell，Rambus集成电路单元）
RAS（Row Address Strobe，行地址控制器）
RDRAM（Rambus Direct RAM，直接型RambusRAM）
DIMM（RAMBUS In-line Memory Modules，RAMBUS内嵌式内存模块）
SDR SDRAM（Single Date Rate，单数据率SDRAM）
SGRAM（synchronous graphics RAM，同步图形随机储存器）
SO-DIMM（Small Outline Dual In-line Memory Modules，小型双重内嵌式内存模块）
SPD（Serial Presence Detect，串行存在检查）
SRAM（Static Random Access Memory，静态随机内存）
SSTL-2（Stub Series Terminated Logic-2）
TSOPs（thin small outline packages，超小型封装）
USWV（Uncacheable，Speculative，Write-Combining非缓冲随机混合写入）
VCMA（Virtual Channel Memory architecture，虚拟信道内存结构）
7、磁盘
AAT（Average access time，平均存取时间）
ABS（Auto Balance System，自动平衡系统）
ASMO（Advanced Storage Magneto-Optical，增强形光学内存）
AST（Average Seek time，平均寻道时间）
ATA（AT Attachment，AT扩展型）
ATOMM（Advanced super Thin-layer and high-Output Metal Media，增强形超薄高速金属媒体）
bps（bit per second，位/秒）
CSS（Common Command Set，通用指令集）
DMA（Direct Memory Access，直接内存存取）
DVD（Digital Video Disk，数字视频光盘）
EIDE（enhanced Integrated Drive Electronics，增强形电子集成驱动器）
FAT（File Allocation Tables，文件分配表）
FDBM（Fluid dynamic bearing motors，液态轴承马达）
FDC（Floppy Disk Controller，软盘驱动器控制装置）
FDD（Floppy Disk Driver，软盘驱动器）
GMR（giant magnetoresistive，巨型磁阻）
HDA（head disk assembly，磁头集合）
HiFD（high-capacity floppy disk，高容量软盘）
IDE（Integrated Drive Electronics，电子集成驱动器）
LBA（Logical Block Addressing，逻辑块寻址）
MBR（Master Boot Record，主引导记录）
MTBF（Mean Time Before Failure，平均故障时间）
PIO（Programmed Input Output，可编程输入输出模式）
PRML（Partial Response Maximum Likelihood，最大可能部分反应，用于提高磁盘读写传输率）
RPM（Rotation Per Minute，转/分）
RSD（Removable Storage Device，移动式存储设备）
SCSI（Small Computer System Interface，小型计算机系统接口）
SCMA（SCSI Configured Auto Magically，SCSI自动配置）
S.M.A.R.T.（Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology，自动监测、分析和报告技术）
SPS（Shock Protection System，抗震保护系统）
Ultra DMA（Ultra Direct Memory Access，超高速直接内存存取）
LVD（Low Voltage Differential）
Seagate硬盘技术
DiscWizard（磁盘控制软件）
DST（Drive Self Test，磁盘自检程序）
SeaShield（防静电防撞击外壳）
8、光驱
ATAPI（AT Attachment Packet Interface）
BCF（Boot Catalog File，启动目录文件）
BIF（Boot Image File，启动映射档）
CDR（CD Recordable，可记录光盘）
CD-ROM/XA（CD－ROM eXtended Architecture，只读光盘增强形架构）
CDRW（CD-Rewritable，可重复刻录光盘）
CLV（Constant Linear Velocity，恒定线速度）
DAE（digital Audio Extraction，资料音频抓取）
DDSS（Double Dynamic Suspension System，双悬浮动态减震系统）
DDSS II（Double Dynamic Suspension System II，第二代双层动力悬吊系统）
PCAV（Part Constant Angular Velocity，部分恒定角速度）
VCD（Video CD，视频CD）
9、打印机
AAS（Automatic Area Seagment?）
dpi（dot per inch，每英寸的打印像素）
ECP（Extended Capabilities Port，延长能力埠）
EPP（Enhanced Parallel Port，增强形并行接口）
IPP（Internet Printing Protocol，因特网打印协议）
ppm（paper per minute，页/分）
SPP（Standard Parallel Port，标准并行口）
TET（Text Enhanced Technology，文本增强技术）
USBDCDPD（Universal Serial Bus Device Class Definition for Printing Devices，打印设备的通用串行总线级标准）
VD（Variable Dot，变点式打印）
10、扫描仪
TWAIN（Toolkit Without An Interesting Name，协议）
其特征是以大规模集成电路（每片上集成几百到几千个逻辑门）LSI（Large-Scale Integration）来构成计算机的主要功能部件；主存储器采用集成度很高的半导体存储器。运算速度可达每秒几百万次甚至上亿次基本运算。在软件方面，出现了数据库系统、分布式 *** 作系统等，应用软件的开发已逐步成为一个庞大的现代产业。
其特征是用集成电路IC（Intergrated Circuit）代替了分立元件，集成电路是把多个电子元器件集中在几平方毫米的基片上形成的逻辑电路。第三代计算机的基本电子元件是每个基片上集成几个到十几个电子元件（逻辑门）的小规模集成电路和每片上几十个元件的中规模集成电路。第三代计算机已开始采用性能优良的半导体存储器取代磁芯存储器；运算速度提高到每秒几十万到几百万次基本运算。在存储器容量和可靠性等方面都有了较大的提高。同时，计算机软件技术的进一步发展，尤其是 *** 作系统的逐步成熟是第三代计算机的显著特点。多处理机、虚拟存储器系统以及面向用户的应用软件的发展，大大丰富了计算机软件资源。为了充分利用已有的软件，解决软件兼容问题，出现了系列化的计算机。最有影响的是IBM公司研制的IBM-360计算机系列。这个时期的另一个特点是小型计算机的应用。DEC公司研制的PDP-8机、PDP-11系列机以及后来的VAX-11系列机等，都曾对计算机的推广起了极大的作用。
其特征是用晶体管代替了电子管；大量采用磁芯做内存储器，采用磁盘、磁带等作外存储器；体积缩小、功耗降低、运算速度提高到每秒几十万次基本运算，内存容量扩大到几十万字。同时计算机软件技术也有了很大发展，出现了FORTRAN、ALGOL-60、COBOL等高级程序设计语言，大大方便了计算机的使用。因此，它的应用从数值计算扩大到数据处理、工业过程控制等领域，并开始进入商业市埸。代表性的计算机是IBM公司生产的IBM-7094机和CDC公司的CDC1604机。
其特征是采用电子管作为计算机的逻辑元件；内存储器采用水银延迟线；外存储器采用磁鼓、纸带、卡片等。运算速度只有每秒几千次到几万次基本运算，内存容量只有几千个字。用二进制表示的机器语言或汇编语言编写程序。由于体积大、功耗大、造价高、使用不便，主要用于军事和科研部门进行数值计算。代表性的计算机是1946年美籍匈牙利数学家冯·诺依曼（Von Neumann）与他的同事们在普林斯顿研究所设计的存储程序计算机IAS。它的设计体现了“存储程序原理”和“二进制”的思想，产生了所谓的冯·诺依曼型计算机结构体系，对后来计算机的发展有着深远的影响。
从1946年到1958年是计算机发展的第一代。
从1958年到1964年是计算机发展的第二代。
从1964年到1975年是计算机发展的第三代。
从1975年到现在是计算机发展的第四代。
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