半导体不是超导体.半导体主要应用于各种电子设备中.故A、C、D错误.
故选B.
我就不带入数据了。算出电阻率E/j
电导率=1/电阻率=nqμ
然后就可以求出电子浓度n
可是题目中说的是一块n型半导体,那么不管你如何加外电场,内部的载流子分布是恒定的,不会随着位置而变化,因为要符合连续性方程。只有掺杂才会引起浓度变化。所以2、3问的就有些奇怪了
锗中掺锑,锑是五族元素,在锗中是施主杂质,锗的禁带宽度小于硅,由此断定室温下杂质全电离,因此电子浓度就是锑的掺杂浓度。由质量作用定理ni^2=p*n,电子浓度已经知道,就能算出空穴浓度。电导率的公式σ=n*μn*q+p*μp*q,计算电导率,求倒数就是电阻率。
少子的平均漂移速度就是指在电场作用下载流子单位时间移动的距离,这里漂移速度V=1cm/10^(-4)s=10^4cm/s,迁移率μ=V/E,然后根据爱因斯坦关系,扩散系数D=μkT/q,即可求出扩散系数。
其实半导体物理的计算多为套公式,只要熟悉每个名词背后的概念,将各个概念的关系能够联系起来做计算题就没什么问题了。
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