为什么说p型半导体n型表面态结构的光阴极更有利于光电发射

为什么说p型半导体n型表面态结构的光阴极更有利于光电发射,第1张

P型半导体N型表面在未建立平衡之前两者的费米能级是不相同的,应该说前者低于后者。因此,表面态中的电子会跃迁到P型半导体的受主能级上,使得费米能级产生平衡。故在外表面层会形成正的空间电荷区,内表面层形成负的空间电荷区,导致靠近表面的电位下降,从而导致表面层的能带向下弯曲,从能量角度来看向下弯曲的能带降低了导带底和真空能级之间的能量差,故电子从导带溢出到真空能级所需要的能量减小了,更多的受激电子能够从半导体表面逸出,从而有利于光电发射,楼上瞎扯PN结完全不懂电子亲和势的概念,纯属误导

半导体光电极 在将光能转换为化学能的光电化学电池中,用半导体材料作光电极,起光吸收和光催化作用。n型半导体构成光阳极,只催化氧化反应p型半导体构成光阴极,只催化还原反应。但半导体表面一般不具有良好的反应活性,电极反应往往需较高的过电位。经过适当的表面处理(如热处理、化学刻蚀和机械研磨等)来改变电极的表面状态(如价态分布、晶格缺陷、晶粒粒度、比表面和表面态分布等),可以大大改善其催化活性。

表面修饰的半导体光电极 单纯半导体光电极一般催化活性不高,采用表面修饰方法(如沉积法、强吸附法、共价法和聚合成膜法等)将具有某些功能的物质(金属、半导体、化学基团和聚合物)附着于电极表面,使它成为表面修饰电极,就能改善和扩大电极功能。当具有催化活性的物质以高分散的岛状分布修饰在半导体电极表面并形成透光的肖特基接触时,就可能改变反应势垒,提高反应速率。例如,在半导体二氧化钛光阳极表面修饰上铂或钯,可大大提高乙醇水溶液光电催化氧化同时放氢的速率。

p型半导体的导电原理如下:半导体中有两种载流子:导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴,则该类型的半导体就称为P型半导体。 “P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中,参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴,这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如,含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。


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