半导体和绝缘体禁带宽度范围

绝缘体的禁带宽度：绝缘体的禁带宽度比较大（6~7ev），而半导体的禁带宽度通常在1ev左右，例如300K下，Si的Eg 1.12ev，Ge 0.67ev，GaAs 1.43ev,当外界条件变化的时候，里面的电子会获得能量，获得能量之后，满带中少量电子，跃迁到上一个空带的底部附近，所以满带中的电子和原先空带中的少量电子都参与导电，所以常温下具有一定的导电能力，通常把满带中，少量电子跃迁后，剩余的大量电子对电流的贡献，用少量的带正电的准粒子加以等效描述，称为空穴。

硅Si的价带顶能量Ev为1.1-1.3V。

对应波长：L=c/f = c/(E/h) = c*h/E。

这里E是光子能量，c是光速，h是普朗克常数。

取c=3*10^8m/s h=4.136*10^(-15)eV/s。

温度为300K时，硅的禁带宽度1.124V，则E=1.124eV。

得到对应波长为：L=1.104*10^(-6) = 1.104um。

也就是大概1.1um左右。

价带的能量低于导带

它也是由许多准连续的能级组成的。但是价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电子空位——空穴才能导电，故称空穴是载流子。空穴的最低能量——势能，也就是价带顶，通常空穴就处于价带顶附近。

价带顶与导带底之间的能量差，就是所谓半导体的禁带宽度。这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。这是半导体最重要的一个特征参量。

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