p型si功函数

1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3) 2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV 3.为了得到肖特基结,要求P型半导体满足Wm<ws,所以应选择al,作为金属构成肖特基结. 4.金属一侧的势垒高度q$ps=X+Eg-Wm=4.05+1.124-4.20=0.974eV 5.半导体一侧的势垒高度qVD=|Wm-Ws|=|4.20-5.00|=0.80eV</ws,所以应选择al,作为金属构成肖特基结.

pt的功函数W=5.3ev>W=4.6gv。根据Al的功函数W=4.3eVW＝4.69eV，故与p型半导体接触形S成反阻挡层Pt的功函数W=5.3eV>W＝4.69V，故与p型半导体接触形成mS。

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