求大神解两道半导体物理的计算题！

锗中掺锑，锑是五族元素，在锗中是施主杂质，锗的禁带宽度小于硅，由此断定室温下杂质全电离，因此电子浓度就是锑的掺杂浓度。由质量作用定理ni^2=p*n，电子浓度已经知道，就能算出空穴浓度。电导率的公式σ=n*μn*q+p*μp*q，计算电导率，求倒数就是电阻率。

少子的平均漂移速度就是指在电场作用下载流子单位时间移动的距离，这里漂移速度V=1cm/10^(-4)s=10^4cm/s，迁移率μ=V/E，然后根据爱因斯坦关系，扩散系数D=μkT/q，即可求出扩散系数。

其实半导体物理的计算多为套公式，只要熟悉每个名词背后的概念，将各个概念的关系能够联系起来做计算题就没什么问题了。

吸收光谱最强位置的波长（nm），转化为能量单位电子福特即可（eV） 如果题主懒得算，给你个简单的公式 ： 1240/波长=禁带宽度（eV）先将uv-vis图谱转换为ahv^2 vs hv曲线，其中a是alpha，吸收系数。然后你会看到图大概是先转个弯，然后有一段近似线性。然后你将线性部分作切线，它与x轴的交点就是带隙。

(α hv)1/m=B(hν-Eg)

直接带隙：m=1/2

间接带隙：m=2

α为吸收系数，B为常数，hv为光子能量，h 为普朗克常数=4.1356676969×10-15 eV·s，ν 为入射光子频率，Eg表示半导体禁带宽度(带隙)

这个属于半导体物理的知识。

光子的能量要大于或等于禁带宽度，才能使电子产生能级跃迁,吸收辐射，产生电流。

光子的能量=hv=h*(光速/波长)，h为普朗克常数=6.626×10-34 J.s=4.14×10-15eV*S 。由题意和上述原理可知，禁带宽度就等于这时的光子能量。所以Eg=hv=h*(光速/波长)=（4.14×10-15（eV*S））*（（3*10+8）m/s）/（1.9*10-6m）=0.654eV。

误差应该是各值的实际值和理论值的正常偏离。

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