p型si功函数

1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3) 2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV 3.为了得到肖特基结,要求P型半导体满足Wm<ws,所以应选择al,作为金属构成肖特基结. 4.金属一侧的势垒高度q$ps=X+Eg-Wm=4.05+1.124-4.20=0.974eV 5.半导体一侧的势垒高度qVD=|Wm-Ws|=|4.20-5.00|=0.80eV</ws,所以应选择al,作为金属构成肖特基结.

功函数的差别是基本因素。不同材料（甚至液体-固体，液体-液体）之间的接触势垒都可以根据其功函数差来确定。

半导体的功函数是Fermi能级与真空自由电子能级的差，同一种半导体的p型材料与n型材料接触时，因为n型半导体的功函数小于p型半导体，所以电子将向p型一边转移....形成pn结势垒。

对于同一种材料（譬如n型Si和p型Si），也可以由载流子浓度的差别来考虑，但是最基本的还是功函数差。

但是，对于不同种类半导体的接触，不管它们之间的载流子浓度差别有多大，也必须由功函数差来确定其势垒；这时就有可能电子从浓度低的一边转移到浓度高的一边。

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