为什么有些半导体器件的生产工序要在真空中进行?

半导体器件的生产，除需要超净的环境外，有些工序还必须在真空中进行。

每一半导体器件都包含着许多层各种各样的材料，如果在这些不同的材料层之间混入气体分子，就会破坏器件的电学或光学性能。

比如，当希望在晶体层上再生长一层晶体时(称为外延），底层晶体表面吸附的气体分子，会阻碍上面的原子按照晶格结构进行有序排列，结果在外延层中引入大量缺陷，严重时，甚至长不出晶体，而只能得到原子排列杂乱无章的多晶或非晶体。

真空状态主要的优点是：空气含量少，也就是说在特定的容器内其他杂质的密度要比正常气压下的密度低的多。利用这一原理就应用到了很多地方，当然还有应用其他原理的，不过这是主要也是最多的应用。大多是工厂生产需要的。主要有，真空包装、真空消毒、真空镀膜（最常听到的就是镀金、银什么的）、真空钎焊（焊接的一种）、真空熔炼（炼钢、金、银等等）这是我们日常比较能够接触到或听说过的，其实还有很多用到的地方，就像太阳能集热管、生产太阳能板的炉子、半导体设备、生产液晶显示器的设备等等，还有大学的很多实验也需要在真空状态太下进行，未来要用到真空的地方会越来越多。

   真空，指某一个容器中不含有任何物质（现实生活中并不存在真正的真空），通常我们把低于正常大气压的容器状态就叫做真空状态。绝大多数半导体工艺设备都需要真空。

  真空度，表示该容器中，气体的稀薄程度，通常用压力值表示。实际应用中，有绝对真空和相对真空两种说法。

  绝对真空，又可以叫做绝对压力，绝压，它是以理论真空为零位，表示比“理论真空”高出多少压力，该值都是正值，值越小，越接近绝对真空，真空度越高；即，值越小，气体越稀薄，真空度越高；通常该值的后面会用abs.作为后缀。 比如：真空度从高到底的顺序是1 mbar abs. >10 mbar abs. >1个 标准大气压。

  相对真空，又可以叫做表压，负压，是以大气压作为零位，表示比该零位低多少，用负值表示。该值越大，真空度越高，比如真空度从高到底依次是 -1000 mbar >-500 mbar >0 mbar (大气压）。

  通常，国内习惯用相对真空来标识真空度，因为相对真空的测量方法简单，测量仪器普遍（一般的真空表都是相对真空表），大家为了表达方便，会把相对真空前面的负号去掉，比如设备的真空度是0.1MPa，实际是-0.1MPa；再比如，如果我们购买真空表时，一般卖家会问，真空度用的是绝压还是表压，这时要考虑我们自己的需求了，一般情况下我们用的是表压，即相对真空。

---