前缀 生产厂家
AB乐德HFO公司
AD美国模拟器件公司
ADC 美国半导体公司
AM选进微型器件公司
AN日本松下电子工业株式公司
AY美国通用仪器公司
19A 上海无线电十九厂
BA日本东洋电具制作所
BG北京东光电工厂
BGD 北京市半导体器件研究所
BH北京半导体器件三厂
BJ北京电子管厂
BL北京半导体六厂
BW北京半导体器件五厂
CA美国无线电公司
CD无锡江南无线电厂
美国国家半导体公司
CF常州半导体厂
CH上海无线电十四厂
CL苏州半导体总厂
COP 美国无线电公司
cs美国齐端半导体器件公司
CX、CXA 日本索尼公司
D无锡江南无线电器材厂
甘肃泰安七四九厂
风光电工厂
天光集成电器厂
DCA 美国半导体公司
DG北京东光电工厂
DL大连仪表元件厂
DN日本松下电子工业株式公司
EA 日本电气(USA)公司电子陈列部
E、ER甘肃泰安天光电工厂
F甘肃泰安永红器材厂
美国仙童公司
FC上海八三三一厂
FD苏州半导体总厂
FG北京电子管厂
湖北襄樊仪表元件厂
FL贵州都匀风光电子厂
FS贵州都匀四四三三厂
上海无线电七厂
宜昌半导体厂
FY上海八三三一厂
G国际微电路公司
5G上海元件五厂
GD上海电器电子元件厂
HA日本日立株式会社
HD日本日立公司
HF杭州无线电元件二厂
HG华光电子电器厂
HM日本日立株式会社
HMI 哈里斯半导体公司
HN日本日立株式会社
ICL 美国英特锡尔公司
IX日本夏普股份公司
HXT日本日立株式会社
8JM 北京电子管厂
KC日本索尼股份公司
KD北京半导体器件五厂
L/LA/LB/LC/LE 日本三洋电机股份公司
LC/LG 美国通用仪器公司
LD陕西骊山微电子公司
LDD 上海半导体六厂
LF美国国家半导体公司
LH美国NSC
上海无线电十九厂
LJ陕西骊山微电子公司
LM/LP 美国国家半导体公司
M日本三菱电机株式会社
MA加拿大米特尔半导体公司
MB日本富士通有限公司
MC/MCM 美国奠托洛拉半导体公司
MD/MH 加拿大米特尔半导体公司
MK美国莫斯特卡公司
ML加拿大米特尔半导体公司
MLM 美国莫托洛拉半导体公司
MMS 美国奠托洛拉公司
MN日本松下电器公司
MP美国微功率系统公司
MSM日本冲电气公司
MT密特尔半导体公司
删S美国无线电公司
N美国西格尼蒂克公司
南京半导体器件总厂
NE荷兰飞利浦公司
英国麦拉迪公司
NJM/NLM 日本新日元
NT江苏南通晶体管厂
QS长春微电子工厂
RCA美国无线电公司
RSN美国德克萨斯仪器公司
S美国微系统公司
SAB/SAS 德国西门子公司
SB上海无线电十九厂
SBP美国德克萨斯仪器公司
SC上海无线电七厂
SD北京半导体器件二厂
SDA德国西门子公司
欧洲电子联盟
SF上海无线电七厂
SG长沙韶光电工厂
通用硅公司
SH美国仙童公司
SL上海半导体器件十六厂
普莱赛公司
SMC/SN/SNA/SNC/SNH/SNM 美国德克萨斯仪器公司
SP 英国普利斯半导体有限公司
STK 日本三洋电机株式会社
STS 上海无线电七厂、十九厂
SO 西德西门子公司
6S 北京电子管厂
TA 日本东芝电气株式会社
无锡七四二厂
TAA 欧洲联合共同体
（西门子/西格尼蒂克/史普拉格／德律风根／仙童／奠托洛拉等）
TB 天津半导体器件一厂
TBA 风光电工厂
欧洲共同体
贵州四四三三厂
法国汤姆逊公司
日本日立株式会社
TC 日本东芝浦电气股份公司
TCA 西德德德风根公司
TD/TM 日本东芝浦电气株式会社
TDA 荷兰飞利浦公司
英国麦拉迪公司
欧洲电子联盟
意大利亚帝斯电子元件公司
日本日立株式会社
日本电气公司
TMS/TL 美国德萨克斯仪器公司
TFK/U 西德德律风根公司
TPA 西德西门子公司
μA 美国仙童公司
μAA 西德西门子公司
μDA 欧洲电子联盟
μLS/μLX 美国史普拉格公司
μPA/μPC/μPD 日本电气公司
μPC 美国电子公司
UAA 西德西门子公司
UM 通用半导体公司
UL/ULA/ULN美国史普拉格公司
ULN 锦州七七七厂
X 电子工业部二十四研究所
南昌无线电二厂
7XF 陕西商县卫光电工厂
XFC 延河无线电厂
甘肃泰安永红电工厂
XG四川新光电工厂
湖南长沙绍光电工厂
XGF 八七九厂
XR 美国埃克亚集成系统公司
XW 无锡半导体总厂
YA 责州凯里永光电工厂
ZF 甘肃泰安永红电工厂
1、1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。
2、1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特性。
3、1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体的第三种特性。
4、1874年德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第四种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。
5、半导体的这四个特性，虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。
扩展资料：
最早的实用“半导体”是「电晶体（Transistor）/二极体（Diode）」。
1、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。
2、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。
3、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。
4、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应.
参考资料来源：百度百科——半导体
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