半导体蚀刻机腔体是不是真空的

是真空的，半导体主要是镀膜工艺，镀膜工艺需要在真空环境中进行。真空腔体是保持内部为真空状态的容器，真空腔体的制作要考虑容积、材质和形状。真空腔体是为减少了半导体应用中真空腔的个数而研发的一种结构，其晶圆容量几乎不变。

真空腔体的内壁表面吸附大量的气体分子或其他有机物，成为影响真空度的放气源。为实现超高真空，要对腔体进行150—250℃的高温烘烤，以促使材料表面和内部的气体尽快放出。烘烤方式有在腔体外壁缠绕加热带、在腔体外壁固定铠装加热丝或直接将腔体置于烘烤帐篷中。

   真空，指某一个容器中不含有任何物质（现实生活中并不存在真正的真空），通常我们把低于正常大气压的容器状态就叫做真空状态。绝大多数半导体工艺设备都需要真空。

  真空度，表示该容器中，气体的稀薄程度，通常用压力值表示。实际应用中，有绝对真空和相对真空两种说法。

  绝对真空，又可以叫做绝对压力，绝压，它是以理论真空为零位，表示比“理论真空”高出多少压力，该值都是正值，值越小，越接近绝对真空，真空度越高；即，值越小，气体越稀薄，真空度越高；通常该值的后面会用abs.作为后缀。 比如：真空度从高到底的顺序是1 mbar abs. >10 mbar abs. >1个 标准大气压。

  相对真空，又可以叫做表压，负压，是以大气压作为零位，表示比该零位低多少，用负值表示。该值越大，真空度越高，比如真空度从高到底依次是 -1000 mbar >-500 mbar >0 mbar (大气压）。

  通常，国内习惯用相对真空来标识真空度，因为相对真空的测量方法简单，测量仪器普遍（一般的真空表都是相对真空表），大家为了表达方便，会把相对真空前面的负号去掉，比如设备的真空度是0.1MPa，实际是-0.1MPa；再比如，如果我们购买真空表时，一般卖家会问，真空度用的是绝压还是表压，这时要考虑我们自己的需求了，一般情况下我们用的是表压，即相对真空。

0~-0.1MPa属于低真空。

按气体压强大小的不同，通常把真空范围划分为：

1、低真空：1×105 ～1×102Pa。

2、中真空：1×102~1×10-1Pa。

3、高真空：1×10-1～1×10-5Pa。

4、超高真空：1×10-5～1×10-9 Pa。

5、极高真空：1×10-9Pa以下。

扩展资料

现代许多高精密度的产品在制造过程中的某些阶段必需使用程度不一的真空才能制造，如半导体、硬盘、镜片。在实验室和工厂中制造真空的方法是利用泵在密闭的空间中抽出空气以达到某种程度的真空。

在真空技术中按照压力的高低我们可以区分为：

1、粗略真空（Rough Vacuum）：760 ~ 10 Torr。

2、中度真空（Medium Vacuum）：10 ~ Torr。

3、高真空 （High Vacuum）：~ Torr。

4、超高真空（Ultra-High Vacuum）：Torr以下。

参考资料来源：百度百科——真空

---