光刻胶是什么材料 起什么作用

材料：由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

作用：在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。

光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。

光刻胶

在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）。

深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

以上内容参考：百度百科——光刻胶

光刻技术主要应用在微电子中。它一般是对半导体进行加工，需要一个有部分透光部分不透光的掩模板，通过曝光、显影、刻蚀等技术获得和掩模板一样的图形。先在处理过后的半导体上涂上光刻胶，然后盖上掩模板进行曝光；其中透光部分光刻胶的化学成分在曝光过程中发生了变化；之后进行显影，将发生化学变化的光刻胶腐蚀掉，裸露出半导体；之后对裸露出的半导体进行刻蚀，最后把光刻胶去掉就得到了想要的图形。光刻技术在微电子中占有很大的比重，比如微电子技术的进步是通过线宽来评价的，而线宽的获得跟光刻技术有很大的关系。

光刻技术就是在需要刻蚀的表面涂抹光刻胶，干燥后把图形底片覆盖其上，有光源照射，受光部分即可用药水洗掉胶膜，没有胶膜的部分即可用浓酸浓碱腐蚀表面。腐蚀好以后再洗掉其余的光刻胶。现在为了得到细微的光刻线条使用紫外线甚至X射线作为光源。

光刻胶有成为光制扛蚀机是光刻成像的承载介质，可以利用化学反应原理讲光哥系统中经过滤波颜色后的光信息转化为能量，完成掩膜图形的复制。 有消息称，日本东北213地震使得其企业的光刻胶出现了供应告急的问题，而信越更是宣布了关闭厂区，要知道日本信越占据全球光刻胶市场的20%。而光刻胶又是半导体的关键材料，日本信越宣布关闭厂区，就意味着全球光刻胶出现了供不应求的情况，其所带来的连锁反应就是加剧了芯片急慌的问题。

有相关数据显示，2018年之中，全球半导体市场结构之中光刻胶的占比达到了5.24%，被称之为半导体的核心材料。在全球半导体光刻胶市场之中，日本企业可以说是一家独大的，随随便便就能够形成垄断的现象，其占比达到了80%。其中前面讲到过的信越以及住友化学和TOK等等都是光刻胶市场领域之中的巨头，可是日本此次突发地震，使得光刻胶市场1度面临供不应求的状况。

我们国家在光刻胶领域几乎是一片空白。不过，目前已经有很多中国企业正在不断的追求国产替代，在PCB光刻胶市场，这种国产化率已经达到了50%。 虽然只是门槛相对较低的市场，但好歹也算是一定的成就吧，而在LCD光刻胶市场之中，国产化已经达到了5%。在这种领域之内，其实我们还需要面临很大的挑战。而此次日本光刻胶出现告急的情况，给中国的企业带来了一定的机遇。

目前，我们国家已经涌现了很多的光刻胶领头企业，填补在这上面所遇见的空白，其中就包括晶瑞股份，南大光电，上海新阳等等。在南大光电的努力之下，企业发的ARF193纳米光刻胶，已经通过了客户使用认证，成为中国首只通过产品验证的国产ARF光刻胶，代表着在光刻胶领域之中，我们又向前一步。除了南大光电之外，晶瑞股份也传来了消息，其KrF光交已经进入了客户测试阶段。要知道，晶瑞股份曾经花费巨资达到1102.5万美元从sk海力士手中收购了阿斯买的光刻机设备。这种光科技能够研发出最高28纳米的光刻胶。对于晶锐股份的ARF光刻胶以及ARfi光刻胶有着一定的推动作用。

而上海信阳花费7.32亿元推动集成电路制造，其中ARF光刻胶与KrF光刻胶成为其公司项目的主要攻克方向。不管是南大光电还是晶锐股份，又或者是上海新阳，这些企业为中国在光刻胶领域上面的发展填上了一笔又一笔色彩，使得我们在这个领域之中不再是小白的状态。除了在光刻胶领域之中，我们在其他很多领域之中也都获得了一定的成就。相信在全国上下无数企业的努力之下，我们一定能够完成在半导体内各个领域之中的突破。虽然我们底子薄弱，但是我们有不服输的精神，尽管我们起步晚，但是我们有决心。我们不能够决定我们在全球领域内会拥有多大的地位，但是我们能够决定我们付出多少就会收获多少。

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