如果考虑其他因素(如位错、界面态等),可能在掺入p型杂质后半导体并不显p型,这时可能要进行退火或其他处理(如GaN中掺Mg,就需要用H处理)。
另外掺入的不一定是三族元素。
不能,半导体被掺入不同的杂质,例如:三族杂质为P型,四族为N型。是个不可逆的过程。但可以在p型衬底上,通过掺杂形成N阱。同理也可以在但可以在N型衬底上,通过掺杂形成p阱。
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如果考虑其他因素(如位错、界面态等),可能在掺入p型杂质后半导体并不显p型,这时可能要进行退火或其他处理(如GaN中掺Mg,就需要用H处理)。
另外掺入的不一定是三族元素。
不能,半导体被掺入不同的杂质,例如:三族杂质为P型,四族为N型。是个不可逆的过程。但可以在p型衬底上,通过掺杂形成N阱。同理也可以在但可以在N型衬底上,通过掺杂形成p阱。
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