赛默飞7200ICP与pro的区别

二者在灵敏度和分辨率上稍微有点区别

赛默飞7200ICP灵敏度（Mcps / mgL-1）≤0.007nm

仪器检出限(ngL-1)≥105

分辨率(单位质量分辨率，amu)≤0.007nm

pro的分辨率：≤0.002nm；

赛默飞7200ICP参数：

冷却系统：高效半导体制冷。温度：≤-45℃，启动时间：<3 分钟

光学系统：恒温驱气型中阶梯分光系统

单色器：中阶梯光栅，石英棱镜二维色散系统，高能量

光室：带精密光室恒温38℃±0.1℃，驱氩气或氮气, 驱气量为1L/min.并提供英文说明材料。

波长范围：166-847nm，全波长覆盖，可测P 178.2nm，B 182.6nm。可用波长有55000条，并提供英文说明材料说明。

光学分辨率（FHW）：≤0.007nm 在200 nm处，0.014nm在400nm处，0.021nm在600nm处（分辨率和检出限指标须在相同条件获得），并提供英文证明材料。

焦距≤400mm

赛默飞7200ICPpro参数：

3.3.1检测器：

3.3.1.1带高效半导体制冷的固体CID检测器，在光谱仪波长范围内具有连续像素，能任意选择波长，且具有天然的防溢出功能设计；

3.3.1.2 检测单元：大于4,000,000个检测单元，读取速度≥2MHz；

3.2.1.3像素分辨率：≤0.002nm；

3.3.1.4 检测器制冷系统：为获得最低的检测器暗电流，采用高效三级半导体制冷，

工作温度：≤-45℃，到达工作温度的时间：<3 分钟。

3.3.2 光学系统：恒温驱气型中阶梯分光系统

3.3.2.1单色器：中阶梯光栅和棱镜二维色散系统，高能量，为保证仪器测试的稳定性，光栅和棱镜等内光路部件位置固定不动，在光谱仪全波长范围内一次曝光同时测定所有元素；

3.3.2.2 光室：带精密光室恒温38℃±0.1℃（提供光室温度实时反馈软件截图），可使用氩气或氮气进行光室吹扫，测定<200nm谱线时驱气量<3L/min；

3.3.2.3波长范围：必须包含167-820nm，全波长覆盖，可测Al167.079nm，P178.2nm，B182.6nm,Na818.326nm,提供软件截图；

3.3.2.4光学分辨率（FHW）：As189.042nm半峰宽<0.007nm， Ca393.366nm半峰宽<0.017nm， Ba614.172半峰宽<0.024nm, K766.490nm半峰宽<0.035nm（分辨率和检出限指标须在相同条件获得）；

3.3.2.5 为保证光学系统的稳定性和最佳的光通量，焦距≤300mm。

3.3.3 等离子体：

氧化锆(ZrO2)

自然界的氧化锆矿物原料,主要有斜锆石和锆英石.锆英石系火成岩深层矿物,颜色有淡黄、棕黄、黄绿等,比重4．6—4．7,硬度7．5,具有强烈的金属光泽,可为陶瓷釉用原料.

白色重质无定形粉末或单斜结晶.无臭.无味.在1100℃以上形成四方晶体,在1900℃以上形成立方晶体.一般常含有少量二氧化铪,与碳酸钠共熔生成锆酸钠,锆酸钠遇水能水解成氢氧化钠和几乎不溶于水的氢氧化锆.溶于2份硫酸和1份水的混合液中,微溶于盐酸和硝酸,慢溶于氢氟酸,几乎不溶于水.相对密度5.85.熔点2680℃.沸点4300℃.折光率2.2.半数致死量(小鼠,腹腔)37mg/kg.有刺激性.

碳化硅

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成.碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石.碳化硅又称碳硅石.在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种.可以称为金钢砂或耐火砂.碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成.目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20～3.25,显微硬度为2840～3320kg/mm2.

分子式为SiC,其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,可作为磨料和其他某些工业材料使用.工业用碳化硅于1891年研制成功,是最早的人造磨料.在陨石和地壳中虽有少量碳化硅存在,但迄今尚未找到可供开采的矿源.

纯碳化硅是无色透明的晶体.工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同,而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色,透明度随其纯度不同而异.碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅).α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体,已发现70余种.β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC.碳化硅的工业制法是用优质石英砂和石油焦在电阻炉内炼制.炼得的碳化硅块,经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品.

碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种,都属α-SiC.①黑碳化硅含SiC约95%,其韧性高于绿碳化硅,大多用于加工抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等.②绿碳化硅含SiC约97%以上,自锐性好,大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃,也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具.此外还有立方碳化硅,它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体,用以制作的磨具适于轴承的超精加工,可使表面粗糙度从Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米.

碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好.低品级碳化硅（含SiC约85%）是极好的脱氧剂,用它可加快炼钢速度,并便于控制化学成分,提高钢的质量.此外,碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒.

碳化硅的硬度很大,具有优良的导热性能,是一种半导体,高温时能抗氧化.

氧化铝

又称三氧化二铝,分子量102,通常称为“铝氧”,是一种白色无定形粉状物,俗称矾土.

白色结晶性粉末.无臭.无味.质极硬.易吸潮而不潮解.溶于浓硫酸,缓慢溶于碱液中形成氢氧化物,几乎不溶于水及非极性有机溶剂.相对密度(d204)4.0.熔点约2000℃.

式量 101.96 amu 熔点 2303 K

沸点 3250 K

真密度 3.97 g/cm3

松装密度：0.85g/mL（325目~0）0.9g/mL（120目~325目）

晶体结构 三方晶系 (hex)

导电性 常温状态下不导电

热化学属性

ΔfH0liquid 1620.57 kJ/mol

ΔfH0solid 1675.69 kJ/mol

S0liquid,1 bar 67.24 J/mol·K

S0solid 50.9 J/mol·K

电解氧化铝

工业化大规模生产电解铝的主要工艺过程是一个熔盐电化学过程,用简单的化学式可表示如下：

熔盐电解

主反应：Al2O3+2C ——————→ 2Al+CO2↑+CO↑ （1）

阳极 960～990℃ 阴极

副反应：AlF3+C→Al+CF3 （2）

Na3AlF3+C →Al+NaF+CF4+F2 （3）

NaF+C → Na+CF4 （4）

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