高纯砷是制取化合物半导体砷化镓、砷化铟等的原料,也是半导体材料锗和硅的掺杂元素,但他本身并不是半导体材料。
大多数类金属都可以。比较常见的有硅(Si)、锗(Ge)、镓(Ga)等。其中硅和锗一般使用其单质,而镓则使用其砷化物砷化镓(GaAs)作为半导体材料。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,禁带宽度是1.4电子伏。不过砷化镓也有不足之处,即其热稳定性不好,高温分解,限制了其普及运用。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
高纯砷是制取化合物半导体砷化镓、砷化铟等的原料,也是半导体材料锗和硅的掺杂元素,但他本身并不是半导体材料。
大多数类金属都可以。比较常见的有硅(Si)、锗(Ge)、镓(Ga)等。其中硅和锗一般使用其单质,而镓则使用其砷化物砷化镓(GaAs)作为半导体材料。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,禁带宽度是1.4电子伏。不过砷化镓也有不足之处,即其热稳定性不好,高温分解,限制了其普及运用。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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