si，ge，gaas，gan，sic等半导体材料的禁带宽度和电子迁移率各是多少

禁带宽度：1.12, 0.66, 1.42, 3.44 6H- SiC:3, 4H- SiC:3.25, 3C-SiC:2.3 (eV) 电子迁移率: 1350, 3800, 8000, 2000，3000左右 (cm^2/(V·s))

10厘米每伏乘以秒。迁移率是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。迁移率随杂质浓度的增加将显著下降。由电阻率可确定所含杂质的浓度，因此窄带的p型半导体迁移率为10厘米每伏乘以秒。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。

30cm。迁移率，是单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度，室温下铜导带电子的迁移率为30cm，而半导体材料的迁移率一般都高于金属，其电子传输具有明显的量子效应，表现为d道输运，电子可以无散射地流过。

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