因为半导体中的本征电子和空穴浓度会受温度的影响发生明显的变化,即本征载流子的激发浓度会随温度的不同而发生变化,进而影响半导体的各项电学性能。
温度同样会影响半导体中载流子的散射情况。高温下半导体中原子振动加强,增大了对载流子的散射。在对半导体升温的过程中,有一个区间是温度升高电阻率变大
温度会影响半导体掺杂的有效激发
温度会影响半导体中陷阱和缺陷对载流子的俘获能力,已经被俘获载流子的复合几率
1、这么说不太严谨,对于不同种材料,比如Si和GaN,本征Si的导电性要比低掺杂GaN的好。2、对于同一种半导体,掺杂之后在常温下杂质电离的载流子比本征电离的要多,所以掺杂半导体导电性比本征好。
3、对于一块掺杂的半导体,随温度的升高,而其本征电离加剧,当本征电离产生的载流子高于杂质电离时,可以认为才是半导体就是一块本征半导体,而温度升高载流子受到晶格散射的影响也会加剧,所以导电性会变差,而更致命的是此时半导体的导电类型发生了变化,对于一般靠PN结组成的器件,这会导致器件的失效。
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