什么栅极，源极，漏极？

栅极，源极，漏极，三个名字是从英文而来的。

栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。

源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。

漏极(drain)drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。

拓展资料：

栅极

由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极，起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。

源极

源极简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

漏极

漏极在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两P区连起来，就构成了一个场效应管。

参考资料：百度百科-栅极百度百科-源极百度百科-漏极

1、电流流向不同。

把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。

2、作用不同。

电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。

3、对应电位不同。

但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接在一起了，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬底接低电位，N衬底接高电位。

扩展资料

MOS管的定义：

场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，用P＋表示，形成两个P＋N结。N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。

通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是ntype，那么通道也会是ntype对于绝缘栅NMOS管，接高压为漏端，接低压为源端。

PMOS刚好相反。从原理上，NMOS载流子是电子，由低电压处提供，所以低压端称源端，PMOS载流子是空穴，由高压处提供，所以高压端称源端。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。

增强耗尽接法基本一样。

无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。

扩展资料

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

参考资料MOS管＿百度百科

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