半导体是谁发明的?

法拉第发现的，不是发明。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特性。

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半导体的应用：

最早的实用“半导体”是「电晶体（Transistor）/二极体（Diode）」。

1、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。

2、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。

3、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。

4、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应.

参考资料来源：参考资料来源——半导体

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。

这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。

而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。

同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

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人物贡献:

1、英国科学家法拉第(MIChael Faraday，1791~1867)

在电磁学方面拥有许多贡献，但较不为人所知的，则是他在1833年发现的其中一种半导体材料。

硫化银，因为它的电阻随着温度上升而降低，当时只觉得这件事有些奇特，并没有激起太大的火花；

然而，今天我们已经知道，随着温度的提升，晶格震动越厉害，使得电阻增加，但对半导体而言，温度上升使自由载子的浓度增加，反而有助于导电，这也是半导体一个非常重要的物理性质。

2、德国的布劳恩(Ferdinand Braun，1850~1918)。

注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。

但直到1906年，美国电机发明家匹卡(G. W. PICkard，1877~1956)，才发明了第一个固态电子元件：无线电波侦测器(cat’s whisker)，它使用金属与硅或硫化铅相接触所产生的整流功能，来侦测无线电波。

在整流理论方面，德国的萧特基(Walter Schottky，1886~1976)在1939年，于「德国物理学报」发表了一篇有关整流理论的重要论文，做了许多推论，他认为金属与半导体间有能障(potential barrier)的存在，其主要贡献就在于精确计算出这个能障的形状与宽度。

3、布洛赫(Felix BLOCh，1905~1983)

在这方面做出了重要的贡献，其定理是将电子波函数加上了周期性的项，首开能带理论的先河。

另一方面，德国人佩尔斯(Rudolf Peierls， 1907~ ) 于1929年，则指出一个几乎完全填满的能带，其电特性可以用一些带正电的电荷来解释，这就是电洞概念的滥觞；

他后来提出的微扰理论，解释了能隙(Energy gap)存在。

芯片是由杰克基尔比和罗伯特诺伊斯二人共同研发的。

杰克·基尔比

美国物理学家，集成电路的两位发明人之一（另一位是罗伯特·诺伊斯），德州仪器的工程师，其于1958年发明集成电路，JK正反器即以其名字命名。

生平

1998年首次到台湾访问，并获得国立交通大学荣誉博士学位。2000年获得诺贝尔物理学奖。

2005年6月20日因癌症在美国德州达拉斯市去世，享年81岁。

罗伯特·诺伊斯

罗伯特·诺顿·诺伊斯，是仙童半导体公司和英特尔的共同创始人之一，他有“硅谷市长”或“硅谷之父”的绰号。诺伊斯也是电子器件集成电路的发明者之一，他的发明对个人电脑的普及起到关键性的作用。

生平

罗伯特·诺伊斯生于美国爱荷华州东南的伯灵顿镇，排行老三。父亲是教堂的牧师，因此小时候的罗伯特跟随家人四处迁移，8岁时，搬往迪科拉，他把大量的时间都花在地下室工作间里。中学毕业后入读格林内尔学院，修读物理、数学两个专业，物理系主任G·O·伽尔在课堂上出示了约翰·巴丁发明的晶体三极管，引起诺伊斯的极大兴趣。

诺伊斯在学校是游泳选手，并且在1947年的美国中西部地区游泳锦标赛上夺冠。他还会演奏双簧管，并在当地电台表演连续剧。1953年获麻省理工学院物理学博士学位，博士论文题为“绝缘体表面状态的光电研究”。毕业后3年在费尔科公司工作。

1956年初，科学家威廉·肖克利决定创办半导体公司，诺伊斯决定追随其成就一番大事业，由于工作人员都是博士，被称为“博士生产线”。1957年，诺伊斯不满肖克利的专制管理体制，与摩尔等8人集体辞职，在风险投资商Arthur Rock和Sherman Fairchild的资助下，创立仙童半导体公司，被肖克利称为“8个叛徒”。

1959年1月，诺伊斯写出打造积体电路的方案，开始进行研发，利用一层氧化膜作为半导体的绝缘层，制作出铝条连线，使元件和导线合成一体。不过这时德州仪器（TI）的杰克·基尔比（Jack Kilby）已经制成积体电路，但他的设计不实际。同年7月30日，仙童提出“半导体器件——连线结构”（美国专利第2,981,877号 ）的专利申请，至于基尔比的专利直到1964年6月23日才被批准。1969年法院判决，诺伊斯和基尔比发明的集成电路不存在侵权问题，两专利都有效。

1957年，苏联成功发射人造卫星。1959年美国国家航空航天局决定把人类送上月球。阿波罗航天飞机选用诺伊斯的积体电路。

1968年8月，诺伊斯与戈登·摩尔（Gordon Moore）和安迪·葛洛夫（Andrew Grove）一起辞职，创立英特尔（Integrated Electronics）。诺伊斯开创了没有墙壁的隔间办公室新格局。1971年11月，Intel 4004微处理器芯片问世。罗伯特·诺伊斯更是被称为“硅谷市长”。

诺伊斯兴趣广泛。他喜欢潜水、滑雪，还会驾驶飞机。1990年6月3日，诺伊斯因游泳时突然心脏病发作而去世，享年62岁。

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