二六族化合物半导体掺杂四族杂质为什么会形成p型半导体？

半导体在掺杂后是n型还是p型，主要取决于在半导体中引入的缺陷能级是靠近价带还是导带。如果靠近价带的话那结果就是p型导电。至于掺入杂质后引入多少个缺陷能级，这些缺陷能级处于什么位置，就要通过理论计算或是实验测定才能知道了。一般半导体教科书上在Si掺P或B这种能比较直观判断的都是比较单纯的情况。

p型半导体掺入3价元素。是硼、铟、镓等。在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

对于Ⅳ族元素：

半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度。

在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于铟或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。

---