MDD二极管的正向与反向特性

MDD二极管的正向特性

理想的二极管，正向电流和电压成指数关系。但是实际的二极管，外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。增加很快，所以二极管上的压降，其实很小，否则由于电流太大，就烧坏了。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。

MDD二极管的反向特性

理想的二极管，外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流。二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。

在电压没有达到反向击穿电压时，二极管的电流一直等于方向饱和电流。但是当电压大到一定程度，二极管被反向击穿，电流急剧增大。

反向击穿分齐纳击穿和雪崩击穿两种。有的二极管击穿后撤去反向电压，还能恢复原状态，比如稳压二极管就是工作在反向击穿区的。 有的反向击穿就直接烧坏了。

参考来源于：www.microdiode.com

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