半导体晶圆为何做成圆形

之所以晶圆都做成圆形,主要的是考虑单位面积利用率和生产问题.

首先硅锭被"拉"出来的时候就一定是圆的,几乎不可能直接获得方的硅锭,除非将圆的硅锭切削成方的,但这样无异于浪费.

比较直径为L毫米的圆和边长为L毫米的正方形,考虑晶圆制造过程中边缘5到8毫米是不可利用的,算算就知道正方形浪费的使用面积比率是比圆型高的.

再则,

很多晶圆生产设备的工艺原理必然要求选择圆型晶圆.

圆型具有任意轴对称性,这是晶圆制作工艺必然的要求,可以想象一下,在圆型晶圆表面可以通过旋转涂布法(spin

coating,事实上是目前均匀涂布光刻胶的唯一方法)获得很均匀一致的光刻胶涂层,但其它形状的晶圆呢?

不可能或非常难,可以的话也是成本很高.

当然,还有很多其它的工艺容易在圆型晶圆上实行而很难在其它形状上实施.

当然,我也觉得或许在人们开始规模制作晶圆的时候一开始就用诸如正方型的晶圆的话,

我们现在也可能还在继续发展方型晶圆,只不过现在所有的晶圆加工设备都是为圆型晶圆设计的,这是世界标准.

世界选择圆型,自然是有其必然性的.

看看其后的成本问题就很清楚了.

这样可以么？

半导体晶圆静电卡盘有多种形状、尺寸和材料可供选择。它们通常是圆形的，比晶圆尺寸稍大。常见的尺寸范围从直径50毫米到超过300毫米。

大多数卡盘具有圆形(同心)环真空设计，并且通常会夹持小管芯、部分晶片和整个晶片。例如，150毫米(6英寸)卡盘将具有真空环图案，允许夹持单个芯片、50毫米、75毫米、100毫米和150毫米晶圆。 硅集成器件和电路的物理尺寸对晶片器件的处理施加了一定的限制。

在这方面，我们将开始与探针站的讨论，这是处理硅片或die芯片的关键设备，并为晶片探测提供了机械力学设备。 我们会向读者介绍通常用于射频和微波器件表征的共面波导探针。 测量装置的另一个重要部分是校准衬底基板，它允许我们在实际测量之前校准设置。

最后，我们会向读者介绍由探针站及其所有附件组成的整个测量装置以及矢量网络分析仪(VNA)。 不熟悉的读者可能认为这些设备微不足道，但它们在表征过程中起着至关重要和独特的作用。

在测试装置和测量仪器之间，使用晶片探针和任何其他同轴传输介质提供信号传播手段。 对于线性器件的宽带频域表征，我们通常使用矢量网络分析仪(VNA)作为选择的仪器。 在一个单一的测量设置中连接所有上述部分可能显得微不足道，但只有那些熟练的专家才能真正理解所有的技术细节。 本文的目的是引导读者通过微波微波表征过程，并介绍必要的设备。

晶圆是微电子产业的行业术语之一。

高纯度的硅（纯度，99.99.....99，小数点后面9-11个9），一般被做成直径6英寸，8英寸或者12英寸的圆柱形棒。

集成电路生产企业把这些硅棒用激光切割成极薄的硅片（圆形），然后在上面用光学和化学蚀刻的方法把电路、电子元器件做上去，做好之后的每片硅片上有大量的一片片的半导体芯片（小规模电路或者三极管的话，每片上可以有3000-5000片），这些加工好的圆形硅片就是晶圆。

之后它们将被送到半导体封装工厂进行封装，之后的成品就是我们看到的塑封集成电路或者三极管了。

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