二极管反向特性是什么？

二极管的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。二极管的正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗二极管约为0.2v,硅二极管约为0.6v)以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗二极管约为0.3v,硅二极管约为0.7v),称为二极管的“正向压降”。二极管反向特性：在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当普通二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，二极管会反向热击穿而损坏。 稳压二极管：稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其伏安特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡，稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阴配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然猛增，稳压管从而反向击穿，此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压的变化却相当小，利于这一特性，稳压管访问就在电路到起到稳压的作用了。而且，稳压管与其它普通二极管不同，反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳压管又恢复正常，但如果反向电流超过允许范围，二极管将会发热击穿而损坏，所以要用电阻限制其电流。如果满意记得采纳哦！你的好评是我前进的动力。(*^__^*)嘻嘻……我在沙漠中喝着可口可乐，唱着卡拉ok，骑着狮子赶着蚂蚁，手中拿着键盘为你答题！！！

理想的二极管，正向电流和电压成指数关系。但是实际的二极管，外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。增加很快，所以二极管上的压降，其实很小，否则由于电流太大，就烧坏了。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。

理想的二极管，外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流。二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。

在电压没有达到反向击穿电压时，二极管的电流一直等于方向饱和电流。但是当电压大到一定程度，二极管被反向击穿，电流急剧增大。

反向击穿分齐纳击穿和雪崩击穿两种。有的二极管击穿后撤去反向电压，还能恢复原状态，比如稳压二极管就是工作在反向击穿区的。 有的反向击穿就直接烧坏了。

二极管在V加反向电压的作用下，会形成很小的反向电流，该电流在一定的电压范围内维持不变，故又称为反向饱和电流。常温下硅管的反向饱和电流比锗管小得多。

在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。

二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当普通二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，二极管会反向热击穿而损坏。

反向偏置时

N区导带电子态与P区价带空态处于相同能量水平，发生隧道过程，则在较小的反向偏压下可以有较大的隧道电流，伏安特性曲线，即在较小偏压下，反向电流比正向电流大得多，曲线形状好似倒置的普通PN结二极管特性曲线，故称为反向二极管，反向二极管主要用于小信号检波，微波检波与混频。

以上内容参考：百度百科-反向二极管

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