光阻通常使用在紫外光波段或更小的波长(小于400纳米)。例如DNQ在300纳米到450纳米间有很强的吸收。
正型光阻剂及负型光阻剂主要是应用在LED芯片制造的金属电极蒸镀Lift-off制程中,由于LED电极所使用的金属材料不易经由蚀刻的方式制作电路图形,所以利用拔起(Lift-off)微影制程,得到突起的(Overhang)光阻图形,使金属在蒸镀过程中不会连续性满布在光阻剂上,再用去光阻剂的方式将未遭金属布盖的光阻部分拔起,完成金属电极的图案。
半导体制程常用的正型光阻剂,在光学曝光方式下,光阻剂上层接受能量较下层光阻高,使得正型光阻剂成像大部分图形为上窄下宽,无法经一次曝光方式即得到Overhang的图形,而负型光阻剂的成像恰好与正型光阻剂图像相反,所以负型光阻剂是lift-off制程的最佳选择。
作者:LED小知识
光阻液
光阻材料简介
光阻主要由树脂(resin),感光剂(sensitizer),溶剂(solvent)三种成分混合而成。
光阻种类: 光阻分为正光阻及负光阻两种。
1. 正光阻: 光阻本身难溶于显影液,曝光后解离成小分子,形成容易溶于显影液的结构。
2. 负光阻: 曝光后形成不容易溶于显影液的结构。
一般Array photo process 对正型光阻的需求如下:
1. 涂布Coating: Thickness uniformity and Mura free.
2. 曝光Exposure: Photospeed.
3. Development: Thickness loss, taper and process window.
4. Postbaking: Heat resistance and reflow.
5. Etching: Etching resistance and adhesion.
6. Stripping: Resist removability.
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)