SIC材料由于有是高带隙材料,所以他的耐压高,而导通阻抗很低。所以是高功率,高频率,高电压,高温器件首选。
其中SIC MOSFET的主要特点是耐压高,单体很容易能做到1700V,而不需要用IGBT,由于是多子导通器件没有电流托尾现象,在开关的过程中几乎没有开关损耗,所以频率可以做得很高。目前主要制约应用的地方就是生产工艺不成熟,价格高。
目前用得最多就是SIC二极管和MOSFET,主要的生产晶元的厂家有CREE和罗姆。
科普一下,碳化硅其实是一种最典型的第三代宽禁带半导体材料,它具有开关速度快,关断电压高和耐高温能力强等优点。而利用碳化硅功率器件设计的电机控制器,能大幅提高永磁同步电机驱动系统的效率及功率密度。碳化硅器件应用于主驱,还能够提升电动汽车的续航能力。XPT蔚来驱动科技第二代电驱系统电机中,就应用了碳化硅模块。得益于碳化硅独特的物理特性,ET7的永磁同步电机、异步感应电机的效率及功率密度也得到了大幅度提升。具体不妨百度一下。易车讯 日前,我们从相关渠道获悉,在第三代半导体碳化硅器件的帮助下,可以让当前的新能源车实现充电10分钟,行驶400公里,能耗降低50%的目标,目前中国电子科技集团旗下的多种规格碳化硅器件,已经在新能源车载充电装置上实现了批量应用。
根据中国电子科技集团专家的介绍,新能源汽车如果用传统的第一代半导体器件,充电时间需要半个小时以上,而采用了第三代半导体碳化硅器件以后,可以实现充电10分钟行驶400公里。
碳化硅器件是新能源汽车车载充电装置所需的关键元器件,2020年以前,这类器件完全依赖进口,而现在,中国电科的碳化硅器件,装车量已经达到100万台。
据悉,以碳化硅为代表的第三代半导体被称为“绿色”半导体,目前中国电科的第三代半导体器件实现了从研发到商用的转型,它的器件节能性是硅器件的4倍,可以使新能源汽车能耗降低50%,特高压电网损耗降低60%,轨道交通功率器件系统损耗降低20%以上。
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