半导体光刻工艺之去胶

经过刻蚀或者离子注入之后，已经不再需要光刻胶作为保护层，因此可以将光刻胶从硅片的表面除去，这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中，去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶，在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶，主要是使光刻胶溶于有机溶剂中，从而达到去胶的目的。有机溶剂去胶中使用的溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂。无机熔液去胶的原理是利用光刻胶本身也是有机物的特点（主要由碳和氢等元素构成的化合物），通过使用一些无机溶剂（如硫酸和双氧水等），将光刻胶中的碳元素氧化称为二氧化碳，这样就可以把光刻胶 从硅片的表面除去。不过，由于无机熔液会腐蚀AL，因此去除AL上的光刻胶必须使用有机溶剂。 干法去胶则是利用等离子体将光刻胶去除。以使用氧等离子为例，硅片上的光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应，生成的气态的CO，CO2和H2O可以由真空系统抽走，相对于湿法去胶，干法去胶的效果更好，但是由于干法去胶存在反应残留物的玷污问题，因此干法去胶与湿法去胶经常搭配使用。

这道题的解答确实。。我个人认为有点小坑爹。

你的理解是通入NO和溶液中的O2反应~

不过你应该考虑的是，NO消耗了水中的O2后，又将有新的O2溶解到水中去。

为什么用通入N2呢？

因为液体中溶解气体的量不是无限大的，在溶液中通入气体，会形成气泡，这样的话，溶液中溶解的其它气体就会自动进入气相，直至达到一种平衡，气泡上升破灭就会将其它气体带出来。

简单的说，通过让水溶解更多的N2，从而把之前溶解的O2赶出去~。。

这个相当于是用了物理的办法来除去其他气体。

祝学习进步~

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