碳化硅又名碳硅石、金刚砂,是第三代半导体材料代表之一,是一种无机物,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
利用碳化硅具有耐腐蚀、耐高温、强度大、导热性能良好、抗冲击等特性,碳化硅一方面可用于各种冶炼炉衬、高温炉窑构件、碳化硅板、衬板、支撑件、匣钵、碳化硅坩埚等。
另一方面可用于有色金属冶炼工业的高温间接加热材料,如竖罐蒸馏炉、精馏炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、锌粉炉用弧型板、热电偶保护管等;用于制作耐磨、耐蚀、耐高温等*碳化硅陶瓷材料;还可以制作火箭喷管、燃气轮机叶片等。
碳化硅的种类
碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种,都属α-SiC。
1、黑碳化硅含SiC约95%,其韧性高于绿碳化硅,大多用于加工抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。
2、绿碳化硅含SiC约97%以上,自锐性好,大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃,也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。此外还有立方碳化硅,它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体,用以制作的磨具适于轴承的超精加工。
第三代半导体是以碳化硅(SiC) 、氮化镓(GaN) 为主的半导体材料,与第一代、第二代半导体材料(SI、CaAs)不同,第三代半导体材料具有高频、高效、高功率、耐高压、抗辐射等诸多优势特性,在5G、新能源汽车、消费电子、新一代显示、航空航天等领域有重要应用。目前主要应用在5G、新能源车、充电桩、光伏、轨道交通等领域的核心部件上,而以上领域都是国家重点发展的方向。
在第一代和第二代半导体材料的发展上,我国由于起步时间远远落后,导致在材料供应上受制于人。但在第三代半导体材料领域,国内厂商起步与国外厂商相差不多,且渗透率较低,国产替代空间巨大,在“十四五”等国家政策的密集推动下,国内厂商有望实现技术弯道超车。
第一代半导体材料以硅(Si)、锗(Ge)为代表,该类材料产业链较为成熟,技术储备完善且制作成本较低,目前主要应用于大规模集成电路中;
第二代半导体材料以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为代表,在物理结构上具备直接带隙的特点,相对于 Si 材料具有光电性能佳、工作频率高,抗高温、抗辐射等优势,适用于制作高速高频、大功率及发光电子器件,是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料,广泛运用于移动通讯、卫星通讯、光通讯和 GPS 导航等领域;
第三代半导体指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的化合物半导体,还包括氧化锌(ZnO)和金刚石该类半导体材料禁带宽度大于或等于 2.2eV,因此也被称为宽禁带半导体材料
易车讯 日前,我们从相关渠道获悉,在第三代半导体碳化硅器件的帮助下,可以让当前的新能源车实现充电10分钟,行驶400公里,能耗降低50%的目标,目前中国电子科技集团旗下的多种规格碳化硅器件,已经在新能源车载充电装置上实现了批量应用。
根据中国电子科技集团专家的介绍,新能源汽车如果用传统的第一代半导体器件,充电时间需要半个小时以上,而采用了第三代半导体碳化硅器件以后,可以实现充电10分钟行驶400公里。
碳化硅器件是新能源汽车车载充电装置所需的关键元器件,2020年以前,这类器件完全依赖进口,而现在,中国电科的碳化硅器件,装车量已经达到100万台。
据悉,以碳化硅为代表的第三代半导体被称为“绿色”半导体,目前中国电科的第三代半导体器件实现了从研发到商用的转型,它的器件节能性是硅器件的4倍,可以使新能源汽车能耗降低50%,特高压电网损耗降低60%,轨道交通功率器件系统损耗降低20%以上。
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