第三代半导体板块最全名单 介绍几家实力比较强的

国内的芯片产业，一直以来都是非常的受市场关注的，尤其是第三代半导体，最近在市场上非常的火热，这篇文章就跟大家聊聊这个话题，介绍几家这个领域比较好的公司！

乾照光电：公司与深圳第三代半导体研究院的合作是全方位多层次的深度合作，在该平台上研发的技术包括但不仅限于氮化镓和Micro-LED。

欧陆通：氮化镓为第三代半导体主要材料之一，目前公司使用的氮化镓技术属于第三代半导体应用技术，主要应用于公司电源适配器产品中。

富满电子：在第三代半导体GaN（氮化镓）快充领域，公司目前有可搭配GaN的中高功率（≥65W）主控芯片、PD协议芯片等产品。公司的相关芯片NF7307，具备更高集成度（集成启动电阻&X电容放电），更出色的性能（优良的Qr特性，更低待机功耗）及更高可靠性（全面的保护机制），已经上市。产品规格可对标安森美等海外厂商产品，具备较高的性价比优势。目前，公司相关产品目前已导入M客户和公牛等知名厂商的供应链，市场拓展稳步推进。

京泉华：公司电源适配器类的系列产品适用于多款电子产品，其中氮化镓技术产品PD 65W快充电源适配器已经开始批量生产；公司规划了一系列氮化镓技术产品，后续会陆续推出更多的产品应用到相关领域。

奥海科技：公司已自主研发出快充氮化镓产品。氮化镓充电器属于第三代半导体领域重要技术产品，公司深耕充电器行业十几载，具备平台优势。

综合以上，就是几家，在A股市场上，做第三代半导体做的比较好的上市公司，希望这篇文章能给大家带来帮助，感兴趣的投资者们一定要多多的了解和学习！

作为这一段时间以来股票市场的热点，很多人都想知道，在A股市场上，有哪几个公司做第三代半导体做的比较好，这篇文章就跟大家聊聊这个话题，给大家介绍介绍。

京泉华：公司电源适配器类的系列产品适用于多款电子产品，其中氮化镓技术产品PD 65W快充电源适配器已经开始批量生产；公司规划了一系列氮化镓技术产品，后续会陆续推出更多的产品应用到相关领域。

洲明科技：高光效长寿命半导体照明关键技术产业化属于第三代半导体项目，首次提出缺陷共振态p型掺杂方法、基于复合纳米图形化蓝宝石衬底的GaN外延成核技术等第三代半导体关键技术。项目由中科院半导体研究所牵头，洲明为该项科研成果应用端最核心的研发企业之一。

光莆股份：公司联合攻关的“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目获得2019年度“国家科技进步一等奖”，该项目属于第三代半导体技术领域，其技术成果推动了我国半导体照明产业从无到有、从弱到强的发展，引领我国传统照明向半导体照明产业技术进步与转型，形成了全球最大的LED照明产品生产基地，打造了外延芯片与国际并跑、应用产品领跑的产业新格局，使半导体照明成为我国少数具有国际竞争力的高科技领域。

天通股份：公司子公司凯成半导体从事碳化硅晶体材料的生产研发，子公司天通吉成可生产碳化硅生产设备，孙公司天通日进生产后道研磨抛设备，相关设备优先配套公司内部使用。

综合以上，就是几家，在A股市场上，做第三代半导体做的比较好的上市公司，希望这篇文章能给投资者们带来启发，感兴趣的一定 要多多的研究学习！投资有风险，大家一定要先谨慎的了解！

随着市场对半导体性能的要求不断提高，第三代半导体等新型化合物材料凭借其性能优势开始崭露头角，成为行业未来重要增长点。

相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄，由于性能不同，二者的应用领域也不相同。

氮化镓、高电流密度等优势，可显著减少电力损耗和散热负载，迅速应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域，是未来最具增长潜质的化合物半导体。

与GaAs和InP等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和SiC等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。

随着行业大规模商用，GaN生产成本有望迅速下降，进一步刺激GaN器件渗透，有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。

GaN主要应用于生产功率器件，目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等领域。

在民用领域，氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。氮化镓基站PA的功放效率较其他材料更高，因而能节省大量电能，且其可以几乎覆盖无线通讯的所有频段，功率密度大，能够减少基站体积和质量。

氮化镓在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。随着5G高频通信的商业化，GaN将在电信宏基站、真空管在雷达和航空电子应用中占有更多份额。

根据Yole估计，大多数Sub 6GHz的蜂窝网络都将采用氮化镓器件，因为LDMOS无法承受如此之高的频率，而砷化镓对于高功率应用又非理想之选。

同时，由于较高的频率会降低每个基站的覆盖范围，需要安装更多的晶体管，因此市场规模将迅速扩大。

Yole预测，GaN器件收入目前占整个市场20%左右，到2025年将占到50%以上，氮化镓功率器件规模有望达到4.5亿美元。

从产业链方面来看，氮化镓分为衬底、外延片和器件环节。

尽管碳化硅被更多地作为衬底材料（相较于氮化镓），国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业，主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等。

从事氮化镓外延片的国内厂商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等。

从事氮化镓器件的厂商主要有三安光电、闻泰 科技 、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。

GaN技术的难点在于晶圆制备工艺，欧美日在此方面优势明显。由于将GaN晶体熔融所需气压极高，须采用外延技术生长GaN晶体来制备晶圆。

其中日本住友电工是全球最大GaN晶圆生产商，占据了90%以上的市场份额。GaN全球产能集中于IDM厂商，逐渐向垂直分工合作模式转变。美国Qorvo、日本住友电工、中国苏州能讯等均以IDM模式运营。

近年来随着产品和市场的多样化，开始呈现设计业与制造业分工的合作模式。

尤其在GaN电力电子器件市场，由于中国台湾地区的台积电公司和世界先进公司开放了代工产能，美国Transphorm、EPC、Navitas、加拿大GaN Systems等设计企业开始涌现。

在射频器件领域，目前LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）、GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）三者占比相差不大，但据Yoledevelopment预测，至2025年，砷化镓市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。

GaAs芯片已广泛应用于手机/WiFi等消费品电子领域，GaN PA具有最高功率、增益和效率，但成本相对较高、工艺成熟度略低，目前在近距离信号传输和军工电子方面应用较多。

经过多年的发展，国内拥有昂瑞微、华为海思、紫光展锐、卓胜微、唯捷创芯等20多家射频有源器件供应商。

根据2019年底昂瑞微董事长发表的题为《全球5G射频前端发展趋势和中国公司的应对之策》的报告显示，截至报告日，国内厂家在2G/3G市场占有率高达95%；在4G方面有30%的占有率，产品以中低端为主，销售额占比仅有10%。

目前我国半导体领域为中美 科技 等领域摩擦中的卡脖子方向，是中国 科技 崛起不可回避的环节，产业链高自主、高可控仍是未来的重点方向。第三代半导体相对硅基半导体偏低投入、较小差距有望得到重点支持，并具备弯道超车的可能。

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