半导体陶瓷生产工艺的共同特点四必须经过半导化过程。半导化过程可通过掺杂不等价离子取代部分主晶相离子(例如,BaTiO3中的Ba2+被La3+取代),使晶格产生缺陷,形成施主或受主能级,以得到n型或p型的半导体陶瓷。另一种方法是控制烧成气氛、烧结温度和冷却过程。例如氧化气氛可以造成氧过剩,还原气氛可以造成氧不足,这样可使化合物的组成偏离化学计量而达到半导化。半导体陶瓷敏感材料的生产工艺简单,成本低廉,体积小,用途广泛。压敏陶瓷,指伏安特性为非线性的陶瓷。如碳化硅、氧化锌系陶瓷。它们的电阻率相对于电压是可变的,在某一临界电压下电阻值很高,超过这一临界电压则电阻急剧降低。典型产品是氧化锌压敏陶瓷,主要用于浪涌吸收、高压稳压、电压电流限制和过电压保护等方面。
湿敏陶瓷
指电导率随湿度呈明显变化的陶瓷。如四氧化三铁、氧化钛、氧化钾-氧化铁、铬酸镁-氧化钛及氧化锌-氧化锂-氧化钒等系统的陶瓷。它们的电导率对水特别敏感,适宜用作湿度的测量和控制。
近来,控制系统已经愈益系统化,需要能够检测两种或几种物理和化学参数,并给出互不干扰电信号的多功能敏感元件。适应这种需要的湿度-气体敏感陶瓷和温度-湿度敏感陶瓷等多功能敏感陶瓷正在研制中 。
压电陶瓷是一种能够将 机械能和电能互相转换的 功能陶瓷材料,属于 无机非金属材料。压电陶瓷具有敏感的特性,可以将极其微弱的 机械振动转换成电信号,可用于 声纳系统、气象探测、遥测环境保护、家用电器等。压电陶瓷对外力的敏感使它可以感应到十几米外飞虫拍打翅膀对空气的扰动,用它来制作 压电地震仪,能精确地测出地震强度,指示出地震的方位和距离,这不能不说是压电陶瓷的一大奇功。常用的压电陶瓷有 钛酸钡系、锆 钛酸铅二元系及在二元系中添加第三种ABO3(A表示二价 金属离子,B表示四价金属离子或几种离子总和为正四价)型化合物,如:Pb(Mn1/3Nb2/3)O3和Pb(Co1/3Nb2/3)O3等组成的三元系。压敏陶瓷是指电阻值随着外加电压变化有一显著的非线性变化的半导体陶瓷,具有非线性伏安特性,在某一临界电压下,压敏电阻陶瓷电阻值非常高,几乎没有电流,但当超过这一临界电压时,电阻将急剧变化,并有电流通过,随电压的少许增加,电流会很快增大。目前压敏陶瓷主要有SiC、TiO2、SrTiO3和ZnO四大类,但应用广、性能好的当属氧化锌压敏陶瓷,由于ZnO压敏陶瓷呈现较好的压敏特性,在电力系统、电子线路、家用电器等各种装置中都有广泛的应用,尤其在高性能浪涌吸收、过压保护、超导性能和无间隙避雷器方面的应用最为突出。压敏电阻的残压比,即为In(标称放电电流)下测得的残压值与该压敏电阻的厚度之比值,单位是V/mm。测量一压敏电阻的残压比,只需测得该压敏在In下的残压即可,然后除以厚度,得到的数值就是该压敏电阻的残压比。
一般的残压比在2.0左右,随着技术的提高,现在的压敏电阻残压比有所降低。
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