科技成就和创造的物质财富超过了以往任何一个时代。它们是推动经
济和社会持续发展的决定性因素，改变了并将继续改变世界的面貌。
它们中有一些为科技界公认的重大成就，将在人类历史上永远闪耀着
夺目的光辉。
20世纪初科学革命两大成就
20世纪的科学是在19世纪的重大理论成果如热力学与电磁学理论、
化学原子论、生物进化论与细胞学说等基础上发展起来的。19世纪的
三大发现（X射线、放射性、电子）导致了20世纪前30年的物理学革命，
诞生了相对论和量子力学，成为20世纪科学发展的先导和基础。
1、相对论
1905年，20世纪最伟大的科学天才爱因斯坦在他26岁时创立了狭
义相对论，提出了不同于经典物理学的崭新的时空观和质（m）能（
E）相当关系式E＝mc2（此处光速C＝3×108米／秒），在理论上为原
子能的应用开辟了道路。
关于E＝mc2，即物体贮藏的能量等于该物体的质量乘以光速的平
方，这个数量大到令人难以想象的程度。我们不妨打个比方说，1克物
质全部转化成的能量，相当于常规状态下燃烧36000吨煤所释放的全部
热能；或者说，1克质量相当于2500万度的电能。
1915年，爱因斯坦又创立了广义相对论，深刻揭示了时间、空间
和物质、运动之间的内在联系——空间和时间是随着物质分布和运动
速度的变化而变化的。它成为了现代物理学的基础理论之一。
从1923年开始，爱因斯坦用他的后半生致力于统一场论的探索，
企图建立一个既包括引力场又包括电磁场的统一场理论，虽然他没有
取得成功，但是杨振宁和米尔斯于50年代创立了“杨—米尔斯场方程”，
发展了所谓“规范场”的理论，使爱因斯坦梦寐以求的统一场论可望
在规范场的基础上得以实现。
2、量子力学
1900年，普朗克创立了量子论，提出能量并非无限可分、能量的
变化是不连续的新观念。1905年，爱因斯坦提出了光量子论，揭示了
光的“波粒二象性”。1913年，玻尔把量子化概念引进原子结构理论。
1923年，德布罗意提出物质波理论。1925年，海森伯和薛定谔分别建
立矩阵力学和波动力学。1928年，26岁的狄拉克提出电磁场中相对论
性电子运动方程和最初形式的量子场论，使包括矩阵力和波动力学在
内的量子力学取得了重大的进展。
20代末量子力学的建立，是继1905—1915年相对论建立之后对经
典物理学的又一次革命性的突破，它成功地揭示了微观物质世界的基
本规律，加速了原子物理学和固态物理学的发展，为核物理学和粒子
物理学准备了理论基础，同时也促进了化学键理论和分子生物学等的
产生。因此，量子力学可以说是20世纪最多产的科学理论，迄今仍具
有强大的生命力。
20世纪中后期5大科学成就
30年代以来，物质基本结构、规范场、宇宙大爆炸、遗传物质分
子双螺旋结构、大地构造板块学说以及信息论、控制论、系统论等理
论的创建，使人类的视野进一步拓展到更为宇观、宏观和微观的领域，
成为人类文明进步的巨大推动力。
1、物质的基本结构
从远古时代开始，人们就在探讨物质是由什么组成的，有没有公
共的基本单元。直到19世纪末，人们都认为这种共同的基元就是原子。
1911年，卢瑟福发现原子内部有一个核；1913年，玻尔指出放射性变
化发生在原子核内部，于是研究原子核的组成、变化规律以及内部结
合力的核物理学应运而生。
1932年，查德威克发现了中子。从此，人们认识到各种原子都是
由电子、质子和中子组成的，于是把这三种粒子和光子称为基本粒子。
但是，基本粒子并不“基本”。一方面，正电子、中微子、介子
等新的基本粒子相继发现；另一方面，基本粒子还有其内部结构。
60年代以来，出现了基本粒子结构的“夸克模型”、“层子模型”等，
使40年代末诞生的一门新的独立学科——基本粒子物理学（又称高能
物理学）至今方兴未艾，成果累累。
2、宇宙大爆炸理论
现代宇宙学的研究发端于爱因斯坦。他在1915年创立广义相对论
后，用它来考察宇宙的结构问题，于1917年提出有限无边的宇宙模型。
1922年，弗里德曼提出的非静态宇宙模型，认为宇宙是可能膨胀的。
1929年，哈勃确定了星系红移（即退行速度）和距离之间的线性关系，
证实了宇宙膨胀理论。1932年，勒梅特提出了宇宙爆炸说。
1948年，伽莫夫把核物理学的知识同宇宙膨胀理论结合起来，发
展了大爆炸理论，并用它来说明化学元素的起源。这一宇宙大爆炸理
论在1965年发现的宇宙背景辐射现象和1998年哈勃望远镜探测到距地
球120亿光年之遥的星系中得到了有力的支持。
3、DNA分子双螺旋模型
1953年4月25日，英国《自然》杂志刊登了25岁的沃森和37岁的克
里克合作研究的成果——DNA双螺旋结构的分子模型，这一成就后来被
誉为20世纪生物学方面最伟大的发现，也被认为是分子生物学诞生的
标志。
DNA是遗传基因的物质载体——脱氧核糖核酸的英文简称。1915至
1928年间，摩尔根通过果蝇实验，证明了坐落在细胞核内染色体上的
基因决定着生物性状，从而创立了基因理论。染色体是由蛋白质和
DNA组成的。过去生物学界一直认为蛋白质是遗传信息的载体，直到
1944年埃弗里等人通过实验才证明了遗传载体不是蛋白质，而是DNA。
1953年DNA分子结构双螺旋模型的建立是打开遗传之谜的关键。60年代
尼伦柏格等人破译了遗传密码，证明地球上所有生物的遗传密码都是
相同的——DNA的4种核苷酸碱基的序列代表了基因的遗传信息，决定
着蛋白质的20种氨基酸的组成和排列顺序。作为基因载体的DNA是生命
的后台指挥者，生命的一切性状通过受DNA决定的蛋白质来表现。
4、大地板块构造学说
1912年，魏格纳提出大陆漂移说，认为在地质历史上的古生代，
全球只有一块巨大陆地，周围是一片大洋；中生代以来，这块古陆开
始分裂、漂移，逐渐成为现在的几个大陆和无数岛屿，原来的大洋则
分割成几个大洋和若干小海。
大陆漂移说经半个多世纪的发展，由地幔对流说（1928年）、海
底扩张说（1961年）等阶段，到1968年勒比雄等提出了全球大地板块
构造学说，建造了全球被分为欧亚、美洲、非洲、太平洋、澳洲、南
极六大板块和若干小板块的结构模型，得到了越来越多的科学验证，
特别是海洋地质学的有力支持。
5、信息论、控制论、系统论
1948年，申农《通讯的数学理论》、维纳《控制论：关于动物和
机器中控制和通信的科学》、贝塔朗菲《生命问题》的出版，标志着
交叉科学信息论、控制论、一般系统论的诞生；1957年，古德等《系
统工程学》的出版为系统工程论奠定了基础。60年代以来，又出现了
新的交叉科学——突变论、协同论和耗散结构理论。
交叉科学不仅沟通了为数众多的自然科学学科，而且在方法论上
也沟通了自然科学与社会科学。它向人们提供了定量、精确和最优的
认识世界的方法，对人类社会产生了深刻的影响。
20世纪的5大尖端技术成果
在科学的先导和生产的促进下，20世纪发展起来五大尖端技术：
核技术、航天技术、信息技术、激光技术和生物技术，在能源、材料、
自动化、海洋和环境等高新技术方面也有了长足的进步。
1、核能与核技术
原子核的裂变和聚变反应将产生和释放出远大于机械能、化学能
等产生的能量。核能的和平利用，为人类提供了一个既安全又清洁、
取之不尽而用之不竭的能源宝库。
1942年，美国建成了世界上第一座原子反应堆，首次实现了人工
控制的链式核裂变反应。1945年第一颗原子d爆炸成功。1952年第一
颗轻核聚变的氢d爆炸成功。1954年，苏联建成世界上第一座原子能
发电站。60年代以后，核电站进入实用阶段，发展至今已成为一种重
要能源，约占全球发电总量的1／5。
核技术还广泛应用于农业、医疗、材料、考古和环保等领域。
40年代放射性同位素开始大量生产，1947年比利发明了C14测定年代的
方法，1951年开始使用Co60等放射性元素治疗癌症，70年代以来计算
机x射线断层扫描技术（CT）广泛应用于临床，80年代初发展到核磁共
振扫描技术（MRI）。
2、航天和空间技术
1903—1914年，齐奥尔科夫斯基提出以火箭为动力的航行理论，
奠定了航天学的基础。1919年，戈达德提出火箭飞行的数学原理，并
于1926年成功地发射了世界上第一枚液体燃料的火箭。1942年，布劳
恩主持设计发射的液体军用飞箭成为二战后各国火箭发展的蓝本。
1957年，苏联用洲际导d的火箭装置发射了世界上第一颗人造地
球卫星，“空间时代”从此开始。1961年，苏联发射载人宇宙飞船，
人类首次飞向太空。1969年，美国“阿波罗”11号飞船登月，人类在
月球上留下了第一个脚印。1971年，苏联建造空间站，人类首次在太
空中有了活动基地。1981年，美国发射航天飞机成功，从此人类可以
自由进出太空。
自50年代后期起，人类开始对月球和太阳系各大行星，以及遥远
的行星际空间进行探测，至今已发射了100多颗空间探测器，去揭示宇
宙的形成与演化，探索生命的起源以及空间环境对人类生存环境的影
响。
3、信息技术
信息技术是20世纪发展最快的技术领域。它对人类社会、经济、
政治、文化等产生了全方位的巨大而深远的影响。
1906年，三极电子管的发明使电信号放大，从而使远程无线电通
信成为可能。1947年，第一只晶体管的诞生为电子电路集成化和数字
化提供了重要的基础。1945年问世的电子计算机，已经历了第一代
（电子管，40年代中至50年代末）、第二代（晶体管，50年代末至
60年代中）、第三代（集成电路，60年代中至70年代初）和第四代
（大规模和超大规模集成电路，70年代初开始）等发展阶段，80年代
开始对新一代的智能计算机、光学计算机和量子计算机的探索已取得
初步成果。
随着大规模集成电路的出现，计算机向巨型化和微型化两极发展。
70年代中，巨型机的向量运算速度超过了每秒亿次；微机则进入了千
家万户，标志着个人电脑时代的来临。当今，巨型机的运算速度已达
每秒3．9万亿次，而计算机互联网络则在2亿多网民的学习、研究、交
流、贸易甚至娱乐等方面创造了崭新的工作和生活方式。
4、激光技术
1917年，爱因斯坦在研究光的辐射的过程中，提出了“受激辐射”
的概念，奠定了激光的理论基础。1958年激光被发现。1960年美国制
成了世界上第一台激光器，它用红宝石晶体做发光材料，用发光强度
很高的脉冲氙灯做激发光源，在这种受激辐射作用下产生的一种超强
光束就是激光。
继红宝石激光器之后，半导体激光器（1963年）、气体激光器
（1964年）、自由电子激光器（1977年）乃至原子激光器（1977年）
等相继问世。
5、生物技术
基因重组技术（又称基因工程）是20世纪下半叶蓬勃兴起和发展
的现代生物技术的最前沿领域。60年代末至70年代初，阿尔伯和史密
斯发现细胞中有两种“工具酶”，能对DNA进行“剪切”和“连接”；
内森斯则使用工具酶首次实现了DNA切割和组合。DNA的重组能创造性
地利用生物资
随着绿色低碳战略的不断推进,提升能源利用效率和能源转换效率已经成为各行各业的共识,如何利用现代化新技术建成可循环的高效、高可靠性的能源网络,无疑是当前各国重点关注的问题。
值此背景下,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体成为市场聚焦的新赛道。根据Yole预测数据, 2025年全球以半绝缘型衬底制备的GaN器件市场规模将达到20亿美元,2019-2025年复合年均增长率高达12%! 其中,军工和通信基站设备是GaN器件主要的应用市场,2025年市场规模分别为11.1亿美元和7.31亿美元
全球以导电型碳化硅衬底制备的SiC器件市场规模到2025年将达到25.62亿美元,2019- 2025年复合年均增长率高达30%! 其中,新能源汽车和光伏及储能是SiC器件主要的应用市场, 2025年市场规模分别为15.53亿美元和3.14亿美元。
本文中,我们将针对第三代半导体产业多个方面的话题,与国内外该领域知名半导体厂商进行探讨解析。
20世纪50年代以来,以硅(Si)、锗(Ge)为代的第一代半导体材料的出现,取代了笨重的电子管,让以集成电路为核心的微电子工业的发展和整个IT产业的飞跃。人们最常用的CPU、GPU等产品,都离不开第一代半导体材料的功劳。可以说是由第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。
然而由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低等原因,硅材料在光电子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制。因此,以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料开始崭露头角,使半导体材料的应用进入光电子领域,尤其是在红外激光器和高亮度的红光二极管方面。与此同时,4G通信设备因为市场需求增量暴涨,也意味着第二代半导体材料为信息产业打下了坚实基础。
在第二代半导体材料的基础上,人们希望半导体元器件具备耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能更强、工作速度更快、工作损耗更低特性,第三代半导体材料也正是基于这些特性而诞生。
笔者注意到,对于第三代半导体产业各家半导体大厂的看法也重点集中在 “高效”、“降耗”、“突破极限” 等核心关键词上。
安森美中国汽车OEM技术负责人吴桐博士 告诉笔者: “第三代半导体优异的材料特性可以突破硅基器件的应用极限,同时带来更好的性能,这也是未来功率半导体最主流的方向。” 他表示随着第三代半导体技术的普及,传统成熟的行业设计都会有突破点和优化的空间。
英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区应用市场总监程文涛 则从能源角度谈到,到2025年,全球可再生能源发电量有望超过燃煤发电量,将推动第三代半导体器件的用量迅速增长。 在用电端,由于数据中心、5G通信等场景用电量巨大,节电降耗的重要性凸显,也将成为率先采用第三代半导体器件做大功率转换的应用领域。
第三代半导体材料区别于前两代半导体材料最大的区别就在于带隙的不同。 第一代半导体材料属于间接带隙,窄带隙第二代半导体材料属于直接带隙,同样也是窄带隙二第三代半导体材料则是全组分直接带隙,宽禁带。
和前两代半导体材料相比,更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。
随着碳化硅、氮化镓等具有宽禁带特性(Eg>2.3eV)的新兴半导体材料相继出现,世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。具体来看:
与硅相比, 碳化硅拥有更为优越的电气特性 :
1.耐高压 :击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地 提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗
2.耐高温 :半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化
3.高频性能 :碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的2倍,这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,已应用于射频器件及功率器件。
氮化镓则具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。 尤其是在光电子器件领域,氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用,还可制备成氮化镓基激光器在微波射频器件方面,氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事 或者民用领域氮化镓也可用于功率器件,其比传统器件具有更低的电源损耗。
半导体行业有个说法: “一代材料,一代技术,一代产业” ,在第三代半导体产业规模化出现之前,也还存在着不少亟待解决的技术难题。
第三代半导体全产业链十分复杂,包括衬底→外延→设计→制造→封装。 其中,衬底是所有半导体芯片的底层材料,起到物理支撑、导热、导电等作用外延是在衬底材料上生长出新的半导体晶层,这些外延层是制造半导体芯片的重要原料,影响器件的基本性能设计包括器件设计和集成电路设计,其中器件设计包括半导体器件的结构、材料,与外延相关性很大制造需要通过光刻、薄膜沉积、刻蚀等复杂工艺流程在外延片上制作出设计好的器件结构和电路封装是指将制造好的晶圆切割成裸芯片。
前两个环节衬底和外延生长正是第三代半导体生产工艺及其难点所在。我们重点挑选碳化硅、氮化镓两种典型的第三代半导体材料来看,它们的生产制备到底还面临哪些问题。
从碳化硅来看,还需要“降低衬底生长缺陷,以及提高工艺效率” 。首先碳化硅单晶制备目前最常用的是物理气相输运法(PVT)或籽晶的升华法,而碳化硅单晶在形成最终的短圆柱状之前,还需要通过机械加工整形、切片、研磨、抛光等化学机械抛光和清洗等工艺才能成为衬底材料。
这一机械、化学制造过程存在着加工困难、制造效率低、制造成本高等问题。此外,如果再加上考虑单晶加工的效率和成本问题,那还能够保障晶片具备良好的几何形貌,如总厚度变化、翘曲度、变形,而且晶片表面质量(粗糙度、划伤等)是否过关等,这都是碳化硅衬底制备中的巨大挑战。
此外,碳化硅材料是目前仅次于金刚石硬度的材料,材料的机械加工主要以金刚石磨料为基础切割线、切割刀具、磨削砂轮等工具。这些工具的制备难度大,使用寿命短,加工成本高,为了延长工具寿命、提高加工质量,往往会采用微量或极低速进给量,这就牺牲了碳化硅材料制备的整体生产效率。
对于氮化镓来说,则更看重“衬底与外延材料需匹配”的难题 。由于氮化镓在高温生长时“氮”的离解压很高,很难得到大尺寸的氮化镓单晶材料,当前大多数商业器件是基于异质外延的,比如蓝宝石、AlN、SiC和Si材料衬底来替代氮化镓器件的衬底。
但问题是这些异质衬底材料和氮化镓之间的晶格失配和热失配非常大,晶格常数差异会导致氮化镓衬底和外延层界面处的高密度位错缺陷,严重的话还会导致位错穿透影响外延层的晶体质量。这也就是为什么氮化镓更看重衬底与外延材料需匹配的难点。
在落地到利用第三代半导体材料去解决具体问题时,程文涛告诉OFweek维科网·电子工程, 英飞凌的碳化硅器件所采用的沟槽式结构解决了大多数功率开关器件的可靠性问题。
比如现在大多数功率开关器件产品采用的是平面结构,难以在开关的效率上和长期可靠性上得到平衡。采用平面结构,如果要让器件的效率提高,给它加点电,就能导通得非常彻底,那么它的门级就需要做得非常薄,这个很薄的门级结构,在长期运行的时候,或者在大批量运用的时候,就容易产生可靠性的问题。
如果要把它的门级做的相对比较厚,就没办法充分利用沟道的导通性能。而采用沟槽式的做法就能够很好地解决这两个问题。
吴桐博士则从产业化的角度提出, 第三代半导体技术的难点在于有关设计技术和量产能力的协调,以及对长期可靠性的保障。尤其是量产的良率,更需要持续性的优化,降低成本,提升可靠性。
观察当前半导体市场可以发现,占据市场九成以上的份额的主流产品依然是硅基芯片。
但近些年来,“摩尔定律面临失效危机”的声音不绝于耳,随着芯片设计越来越先进,芯片制造工艺不断接近物理极限和工程极限,芯片性能提升也逐步放缓,且成本不断上升。
业界也因此不断发出质疑,未来芯片的发展极限到底在哪,一旦硅基芯片达到极限点,又该从哪个方向下手寻求芯片效能的提升呢?笔者通过采访发现,国内外厂商在面对这一问题时,虽然都表达出第三代半导体产业未来值得期待,但也齐齐提到在这背后还需要重点解决的成本问题。
“目前硅基半导体从架构上、从可靠性、从性能的提升等方面,基本上已经接近了物理极限。第三代半导体将接棒硅基半导体,持续降低导通损耗,在能源转换的领域作出贡献,” 程文涛也为笔者描述了当前市场上的一种现象:可能会存在一些定价接近硅基半导体的第三代半导体器件,但并不代表它的成本就接近硅基半导体。因为那是一种商业行为,就是通过低定价来催生这个市场。
以目前的工艺来讲,第三代半导体的成本还是远高于硅基半导体 ,程文涛表示:“至少在可见的将来,第三代半导体不会完全取代第一代半导体。因为从性价比的角度来说,在非常宽的应用范围中,硅基半导体目前依然是不二之选。第三代半导体目前在商业化上的瓶颈就是成本很高,虽然在迅速下降,但依然远高于硅基半导体。”
作为中国碳化硅功率器件产业化的倡导者之一,泰科天润同样也表示对第三代半导体产业发展的看好。
虽然碳化硅单价目前比硅高不少,但从系统整体的角度来看,可以节约电感电容以及散热片。如果是大功率电源系统整体角度看成本未必更高,同时还能更好地提升效率。 这也是为什么现阶段虽然单器件碳化硅比硅贵,依然不少领域客户已经批量使用了。
从器件的角度来看,碳化硅从四寸过度到六寸,未来往八寸甚至十二寸发展,碳化硅器件的成本也将大幅度下降。据泰科天润介绍,公司新的碳化硅六寸线于去年就已经实现批量出货,为客户提供更高性价比的产品,有些产品实现20-30%的降价幅度。除此之外,泰科天润耗时1年多成功开发了碳化硅减薄工艺,在Vf水平不变的情况下,可以缩小芯片面积,进一步为客户提供性价比更高的产品。
泰科天润还告诉笔者:“这两年随着国外友商的缺货或涨价,比如一些高压硅器件,这些领域已经出现碳化硅取代硅的现象。随着碳化硅晶圆6寸产线生产技术的成熟,8寸晶圆的发展,碳化硅器件有望与硅基器件达到相同的价格水平。”
吴桐博士认为, 目前来看在不同的细分市场,第三代半导体跟硅基器件是一个很好的互补,也是价钱vs性能的一个平衡。随着第三代半导体的成熟以及成本的降低,最终会慢慢取代硅基产品成为主流方案。
那么对于企业而言,该如何发挥第三代半导体的综合优势呢?吴桐博士表示,于安森美而言,首先是要垂直整合,保证稳定的供应链,可长期规划的产能布局以及达到客观的投资回报率其次是在技术研发上继续发力,比如Rsp等参数,相比行业水准,实现用更小的半导体面积实现相同功能,这样单个器件成本得以优化第三是持续地提升FE/BE良率,等效的降低成本第四是与行业大客户共同开发定义新产品,保证竞争力以及稳定的供需关系最后也是重要的一点,要帮助行业共同成长,蛋糕做大,产能做强,才能使得单价有进一步下降的空间。
第三代半导体产业究竟掀起了多大的风口?根据《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》内容:2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元,预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度,到2022年市场规模将达到623.42亿元。
其中,第三代半导体衬底市场规模从7.86亿元增长至15.21亿元,年复合增速为24.61%,半导体器件市场规模从86.29亿元增长至608.21亿元,年复合增速为91.73%。
得益于第三代半导体材料的优良特性,它在 光电子、电力电子、通讯射频 等领域尤为适用。具体来看:
光电子器件 包括发光二极管、激光器、探测器、光子集成电路等,多用于5G通信领域,场景包括半导体照明、智能照明、光纤通信、光无线通信、激光显示、高密度存储、光复印打印、紫外预警等
电力电子器件 包括碳化硅器件、氮化镓器件,多用于新能源领域,场景包括消费电子、新能源汽车、工业、UPS、光伏逆变器等
微波射频器件 包括HEMT(高电子迁移率晶体管)、MMIC(单片微波集成电路)等,同样也是用在5G通信领域,不过场景则更加高端,包括通讯基站及终端、卫星通讯、军用雷达等。
现阶段,欧美日韩等国第三代半导体企业已形成规模化优势,占据全球市场绝大多数市场份额。我国高度重视第三代半导体发展,在研发、产业化方面出台了一系列支持政策。国家科技部、工信部等先后开展了“战略性第三代半导体材料项目部署”等十余个专项,大力支持第三代半导体技术和产业发展。
早在2014年,工信部发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》提出设立国家产业投资基金,重点支持集成电路等产业发展,促进工业转型升级,同时鼓励社会各类风险投资和股权投资基金进入集成电路领域在去年全国人大发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》中,进一步强调培育先进制造业集群,推动集成电路、航空航天等产业创新发展。瞄准人工智能、量子信息、集成电路等前沿领域,实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。
具体来看当前主要应用领域的发展情况:
1.新能源汽车
新能源汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场,全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展,对功率半导体器件需求量日益增加,成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性,在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分,碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品, 由于成本的原因,目前使用比例还相对较低,但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势,通过降低冷却等系统的整体成本找到了市场。
2.光伏
光伏逆变器曾普遍采用硅器件,经过40多年的发展,转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点,将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如,在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里,碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。
3.轨道交通
未来轨道交通对电力电子装置,比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率,有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前,受限于碳化硅功率器件的电流容量,碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升,全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。
4.智能电网
目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。
第三代半导体自从在2021年被列入十四五规划后,相关概念持续升温,迅速成为超级风口,投资热度高居不下。
时常会听到业内说法称,第三代半导体国内外都是同一起跑线出发,目前大家差距相对不大,整个产业发展仍处于爆发前的“抢跑”阶段,对国内而言第三代半导体材料更是有望成为半导体产业的“突围先锋”,但事实真的是这样吗?
从起步时间来看,欧日美厂商率先积累专利布局,比如 英飞凌一直走在碳化硅技术的最前沿,从30年前(1992年)开始包含碳化硅二极管在内的功率半导体的研发,在2001年发布了世界上第一款商业化碳化硅功率二极管 ,此后至今英飞凌不断推出了各种性能优异的碳化硅功率器件。除了产品本身,英飞凌在2018年收购了Siltectra,致力于通过冷切割技术优化工艺流程,大幅提高对碳化硅原材料的利用率,有效降低碳化硅的成本。
安森美也是第三代半导体产业布局中的佼佼者,据笔者了解, 安森美通过收购上游碳化硅供应企业GTAT实现了产业链的垂直整合,确保产能和质量的稳定。同时借助安森美多年的技术积累以及几年前收购Fairchild半导体基因带来的技术补充,安森美的碳化硅技术已经进入第三代,综合性能在业界处于领先地位 。目前已成为世界上少数提供从衬底到模块的端到端碳化硅方案供应商,包括碳化硅球生长、衬底、外延、器件制造、同类最佳的集成模块和分立封装方案。
具体到技术上, 北京大学教授、宽禁带半导体研究中心主任沈波 也曾提出,国内第三代半导体和国际上差距比较大,其中很重要的领域之一是碳化硅功率电子芯片。这一块国际上已经完成了多次迭代,虽然8英寸技术还没投入量产,但是6英寸已经是主流技术,二极管已经发展到了第五代,三极管也发展到了第三代,IGBT也已进入产业导入前期。
另外车规级的碳化硅MOSFET模块在意法半导体率先通过以后,包括罗姆、英飞凌、科锐等国际巨头也已通过认证,国际上车规级的碳化硅芯片正逐渐走向规模化生产和应用。反观国内,目前真正量产的主要还是碳化硅二极管,工业级MOSFET模块估计到明年才能实现规模量产,车规级碳化硅模块要等待更长时间才能量产。
泰科天润也直言,国内该领域仍处于后发追赶阶段:器件方面,从二极管的角度, 国产碳化硅二极管基本上水平和国外差距不大,但是碳化硅MOSFET国内外差距还是有至少1-2代的差距 可靠性方面,国外碳化硅产品市场应用推广较早,积累了更加丰富的应用经验,对产品可靠性的认知,定义以及关联解决可靠性的方式都走得更前一些,国内厂家也在推广市场的过程中逐步积累相关经验产业链方面,国外厂家针对碳化硅的材料优势,相关匹配的产业链都做了对应的优化设计,使之能更加契合的体现碳化硅的材料优势。
OFweek维科网·电子工获悉,泰科天润在湖南新建的碳化硅6寸晶圆产线,第一期60000片/六寸片/年。此产线已经于去年实现批量出货,2022年始至4月底已经接到上亿元销售订单。 作为国内最早从事碳化硅芯片生产研发的公司,泰科天润积累了10余年的生产经验,针对特定领域可以结合自身的研发,生产和工艺一体化,快速为客户开发痛点新品 ,例如公司全球首创的史上最小650V1A SOD123,专门针对解决自举驱动电路已经替换高压小电流Si FRD解决反向恢复的痛点问题而设计。
虽然说IDM方面,我国在碳化硅器件设计方面有所欠缺,少有厂商涉及于此,但后发追赶者也不在少数。
就拿碳化硅产业来看,单晶衬底方面国内已经开发出了6英寸导电性碳化硅衬底和高纯半绝缘碳化硅衬底。 山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能 均已完成6英寸衬底的研发,中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。
此外,在模块、器件制造环节我国也涌现了大批优秀的企业,包括 三安集成、海威华芯、泰科天润、中车时代、世纪金光、芯光润泽、深圳基本、国扬电子、士兰微、扬杰科技、瞻芯电子、天津中环、江苏华功、大连芯冠、聚力成半导体 等等。
OFweek维科网·电子工程认为,随着我国对新型基础建设的布局展开和“双碳”目标的提出,碳化硅和氮化稼等第三代半导体的作用也愈发凸显。
上有国家支持政策,下有新能源汽车、5G通信等旺盛市场需求, 我国第三代半导体产业也开始由“导入期”向“成长期”过渡,初步形成从材料、器件到应用的全产业链。但美中不足在于整体技术水平还落后世界顶尖水平好几年,因此在材料、晶圆、封装及应用等环节的核心关键技术和可靠性、一致性等工程化应用问题上还需进一步完善优化。
当前,全球正处于新一轮科技和产业革命的关键期,第三代半导体产业作为新一代电子信息技术中的重点组成部分,为能源革命带来了深刻的改变。
在此背景下,OFweek维科网·电子工程作为深耕电子产业领域的资深媒体,对全球电子产业高度关注,紧跟产业发展步伐。为了更好地促进电子工程师之间技术交流,推动国内电子行业技术升级,我们继续联袂数十家电子行业企业技术专家,推出面向电子工程师技术人员的专场在线会议 「OFweek 2022 (第二期)工程师系列在线大会」 。
本期在线会议将于6月22日在OFweek官方直播平台举办,将邀请国内外知名电子企业技术专家,聚焦半导体领域展开技术交流,为各位观众带来技术讲解、案例分享和方案展示。
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