晶体管3DG12A 3DG12B 3DG12C 3DG12D 这几个差别是什么?

晶体管3DG12A 3DG12B 3DG12C 3DG12D 这几个差别是什么?,第1张

型号:3DG12C

封装:铁帽金属封装

极性:NPN

主要参数:20V,0.3A,0.7W,100MHz

因年代久远,网上的参数可能不准确。

现在有参数比他更高,价格更便宜的管子,如8050

若设计,用老型号,可能不好找,若代换,型号可能更好

若温故,可能费劲

中国三级管命名方法:3=代表三引出线;D=硅NPN,大功率;G=高频;12=生产序号;C=后缀,同型号的区别,一般为耐压,也有可能是放大倍数。

仅供参考

3DG12B,3AX31,3DX204都是以前常用的国产三极管的型号。

3DG12B硅NPN高频中小功率管;3AX31锗PNP低频小功率管;3DX204硅NPN低频小功率管。

第一位:2表示二极管;3表示三极管。

第二位:A-锗PNP;B-锗NPN;C-硅PNP;D-硅NPN。

第三位:A-高频大功率;D-低频大功率;G-高频小功率;X-低频小功率。

一、基本概念

它最主要的功能是电流放大(模拟电路)和开关作用(数字电路)。

三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。

三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。

符号的第一部分“3”表示三极管。符号的第二部分表示器件的材料和结构:A——PNP型锗材料;B——NPN型锗材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。符号的第三部分表示功能:U——光电管;K——开关管;X——低频小功率管;G——高频小功率管;D——低频大功率管;A——高频大功率管。另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。如:3DG12B、3AX21。

三极管最基本的作用是放大作用,它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数 b。当三极管的基极上加一个微小的电流时,在集电极上可以得到一个是注入电流b 倍的电流,即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化,并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就是三极管的放大作用。

三极管还可以作电子开关,配合其它元件还可以构成振荡器。

二、三极管的分类

1)按PN结的组合方式可分为NPN型和PNP型;

2)按材料可分为锗三极管和硅三极管;

3)按工作频率可分为高频三极管(fa≥3MHz)和低频三极管(fa<3MHz);4)按功率可分为大功率管(PC≥1W)和小功率三极管(PC<1W)5)按用途课分为普通放大三极管和开关三极管等。

三、三极管的电流放大作用

1)三极管放大的外部条件:外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态,而集电结处于反向偏置状态。

2)电流分配规律 Ie=Ic+Ib

3)三极管电流放大的实质是以基极电流IB的微小变化控制集电极电流IC的较大变化。

四、三极管输出特性

1) 三极管工作在饱和与截止区时,具有“开关”特性,可应用于脉冲数字电路中,起开关作用;2) 三极管工作在放大区时,可应用在模拟电路中,起放大作用;3) 所以三极管具有“开关”和“放大”两大功能。

五、测试工作状态

测量三极管引脚对地电压,可判断管子的工作状态:

1) NPN管 —— Vc>Vb>Ve,

PNP管 —— Vc<Vb<Ve。处于放大状态。

2) 若测的三极管的集电极对地电压Vc接近电源电压Vcc,则表明管子处于截止状态(开关断开)。

3) 若测的三极管的集电极对地电压Vc接近零(硅管小于0.7V,锗管小于0.3V),则表明管子处于饱和状态(开关闭合)。

判断步骤及方案:

1) 先量出C、B、E各点对地的电压

2) 如果Uce<Ube,则处于饱和状态

3) NPN管 —— Vc>Vb>Ve,

PNP管 —— Vc<Vb<Ve。处于放大状态。

4) 否则处于截止状态

例子如下:

IRF830PBF 特点描述

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFET,GaNFET - 单

系列:-

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:标准型

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.5 欧姆 @ 2.7A, 10V漏极至源极电压(Vdss):500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.5A

Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250?A

闸电荷(Qg) @ Vgs:38nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :610pF @ 25V

功率 - 最大:74W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 (直引线)

包装:管件

供应商设备封装:*

其它名称:*IRF830PBF


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