ST发布新一代微控制器STM32H7：双核性能与丰富功能的完美组合

意法半导体发布全新微控制器STM32H7*。该新产品是业界性能最高的Arm ® Cortex ® -M通用MCU，集强劲的双核处理器和节能型功能以及强化的网络安保功能于一身。

新产品采用Arm Cortex-M系列中性能最高的480MHz Cortex-M7内核，并增加一颗240MHzCortex-M4内核。借助意法半导体的智能架构、高效的L1缓存和ART Accelerator™自适应实时加速技术，当执行嵌入式闪存中的代码时，新MCU创下了1327 DMIPS和3224 CoreMark™性能新记录。意法半导体的Chrom-ART™加速™进一步提升了图形处理性能。为了最大限度地提高能效，每个内核都有独立的电源域，在不需要时可以单独关闭。

通过灵活使用两个内核，开发人员可以轻松升级现有应用，增加更先进复杂的图形用户界面，以电机控制为例，将以前在单核Cortex-M4 MCU上的旧代码迁移到STM32H7 Cortex-M4上，同时在Cortex-M7上运行新GUI。另一个例子是通过降低主处理器的密集型工作负荷，例如，神经网络、校验和、DSP过滤或音频编解码，提高应用性能。

双核架构还有助于简化代码开发，并缩短项目开发周期，将用户界面代码与实时控制或通信功能的开发分开进行。

STM32H7 MCU配备预安装密钥和原生安全服务，包括安全固件安装（SFI）。SFI允许客户在世界任何地方订购标准产品，并将加密固件交付给外部编程公司，避免未加密的代码泄密。此外，内置安全启动和安全固件更新（SB-SFU）支持功能，保护空中下载（OTA）升级和补丁的安全。

与无闪存处理器相比，STM32H7 MCU不仅性能出色，还在片上额外提供高达2MB闪存和1MB SRAM，更好地解决了存储空间限制问题，并简化了具有实时性能或AI处理要求的工业、消费和医疗智能产品设计。此外，Cortex-M7的1级高速缓存以及并行和串行存储器接口可以无限制地快速访问外部存储器。

其它高级功能包括支持所有闪存和RAM存储器的错误代码校正（ECC）技术，提高系统可靠性和安全性；多个先进的16位模数转换器（ADC）；外部工作环境温度高达125°C，适用于恶劣的工作环境；具有通信网关功能的以太网控制器和多个FD-CAN控制器；以及ST最新的波形精确的高分辨率定时器。

意法半导体已经在STM32Cube生态系统内增加了STM32CubeH7固件模块和应用程序源代码，包括基于TouchGFX和STemWin图形堆栈库的图形解决方案。新增硬件工具包括评估板、发现套件和Nucleo开发板。开发人员可以使用STM32Cube开发环境的所有标准组件，包括ST-MC-SUITE电机控制工具包、STM32Cube.AI机器学习工具包、STM32CubeMX、STM32CubeProgrammer，以及取得相关认证的合作伙伴的STM32解决方案。

STM32H7双核微控制器即将投产，样片现已上市，有多种封装可选，包括WLCSP。STM32H7单核微控制器（包括超值系列）同时上市。

国际电子元件知名品牌：

（日本电气株式会社）

（罗姆株式会社）

(夏普)

（恩智浦半导体）

(松下)

Fairchild（仙童）

Vishay (威世)

ON Semiconductor（安森美）

国内二三极管生产牌子： 蓝箭 固德 长电 先科 伟华。SFI（台湾立昌）LRC（乐山）HL（星翰）

电表的必须有气体放电管LT-B8G800L或压敏电阻14D561K进行高压保护，而且还要有瞬态电压抑制二极管，防止瞬态的高压干扰和遭受雷击。最好采用分级保护的方式来完成。逐步进行浪涌能量的吸收，对瞬态过电压进行分阶段抑制。

“压敏电阻"是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。英文名称叫“Voltage Dependent Resistor”简写为“VDR”, 或者叫做“Varistor"。压敏电阻器的电阻体材料是半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的"氧化锌"（ZnO）压敏电阻器，它的主体材料有二价元素锌（Zn）和六价元素氧（O）所构成。所以从材料的角度来看，氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。 在中国台湾，压敏电阻器称为"突波吸收器",有时也称为“电冲击（浪涌）抑制器（吸收器）”。

压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。

压敏电阻的响应时间为ns级，比气体放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千Pf的数量级范围，很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中，应用在交流电路的保护中时，因为其结电容较大会增加漏电流，在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大，但比气体放电管小。压敏电阻器简称VDR，是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。

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