目前华为所需的 IGBT 主要从英飞凌等厂商采购。受中美贸易战影响,华为为保障产品供应不受限制,开始涉足功率半导体领域。目前,在二极管、整流管、MOS 管等领域,华为正在积极与安世半导体、华微电子等国内厂商合作,加大对国内功率半导体产品的采购量,但在高端 IGBT 领域,由于国内目前没有厂家具有生产实力,华为只能开始自主研发。
碳化硅和氮化镓是未来功率半导体的核心发展方向,英飞凌、ST 等全球功率半导体巨头以及华润微、中车时代半导体等国内功率厂商都重点布局在该领域的研究。
为了发展功率半导体,华为也开启了对第三代半导体材料的布局。根据集微网报道,华为旗下的哈勃科技投资有限公司在今年8月份投资了山东天岳先进材料科技有限公司,持股 10%,而山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。相对于传统的硅材料,碳化硅的禁带宽度是硅的 3 倍;导热率为硅的 4-5 倍;击穿电压为硅的 8 倍;电子饱和漂移速率为硅的 2 倍,因此,碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压,耐大电流的高频大功率的器件。
芯片原材料主要是单晶硅。硅的性质是可以做半导体,高纯的单晶硅是重要的半导体材料。其实硅的应用很广泛,比如二极管、三极管、晶闸管、场效应管和各种集成电路都是用硅做的原材料。
芯片制造分为制造和封装:
在制造过程中,主要会用到的材料有晶圆片、掩膜版、电子气体、光刻胶、CMP(化学机械抛光)的抛光材料、高纯度湿电子化学品以及靶材。
在封装过程中,主要会用到的材料有引线框架、封装基板、陶瓷基板、键合丝、包装材料及芯片粘接材料等。
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