直接带隙和间接带隙半导体

一般情况下，直接带隙半导体可直接吸收能量合适的光子。间接带隙半导体，因为电子跃迁时需要动量守恒，因此吸收光的时候需要吸收或发射声子辅助。这种情况下，间接带隙半导体对光的吸收取决于初始能级的电子密度，终止能级的电子密度以及可利用的声子数量。因此一般情况下间接带隙半导体对光的吸收系数小于直接带隙。吸收同样的光子数量需要更厚的厚度。

直接带隙半导体材料形成的pn结，在正偏压下注入电子空穴对提供能量，在Lp＋Ln的区域形成电子空穴对，then复合发射光子发光，，含有等电子陷阱的间接带隙半导体也可发光，复合时发射光子能量近似等于带隙，例如磷化镓参入大量N，引进等电子陷阱，形成一个杂质带，提供大量电子

---